Вышедшие номера
Влияние ультразвуковой обработки на генерационные характеристики границы раздела полупроводник-стекло
Власов С.И.1, Овсянников А.В.1, Заверюхин Б.Н.1
1Национальный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, Узбекистан
Email: vlasov@uzsci.net
Поступила в редакцию: 8 ноября 2008 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2009 г.

Показана возможность определения временной зависимости скорости поверхностной генерации носителей заряда по кинетике релаксации емкости структур металл-стекло-полупроводник. Установлено, что ультразвуковая обработка границ раздела полупроводник-стекло приводит к изменению временной зависимости, уменьшая абсолютное значение скорости поверхностной генерации. PACS: 72.50.+b, 73.20.At, 73.40.Sx