Вышедшие номера
Фотодиоды для спектрального диапазона 1.1-2.4 mum на основе двойной гетероструктуры n-GaSb/n-GaInAsSb/p-AlGaAsSb, выращенной с использованием редкоземельных элементов
Именков А.Н.1, Журтанов Б.Е.1, Астахова А.П.1, Калинина К.В.1, Михайлова М.П.1, Сиповская М.А.1, Стоянов Н.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Imenkov@iroptl.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 15 июля 2008 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2008 г.

Созданы и исследованы фотодиоды для спектрального диапазона 1.1-2.4 mum на основе гетероструктуры n-GaSb/n-GaInAsSb/p-AlGaAsSb с узкозонным слоем n-GaInAsSb (ширина запрещенной зоны Eg=~ 0.5 eV), выращенным с использованием резкоземельного элемента гольмия. Концентрация электронов в узкозонном слое уменьшилась в 4 раза по сравнению с аналогичной гетероструктурой, выращенной без использования редкоземельного элемента, и составила n=1· 1016 cm-3. Предложенная структура демонстрирует увеличение квантовой эффективности и быстродействия. PACS: 85.60.DW