Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Бистабильность водородных доноров в сплаве GeSi, имплантированном протонами
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь 
2University of Manchester, School of Electrical and Electronic Engineering, Manchester M60 1QD, UK Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Россия
2University of Manchester, School of Electrical and Electronic Engineering, Manchester M60 1QD, UK Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Россия
Email: pokotilo@bsu.by
Поступила в редакцию: 21 ноября 2007 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2008 г.
Методом вольт-фарадных характеристик исследовались электрофизические свойства мелких водородных доноров в сплавах Ge1-xSix (x=0.012), которые формировались облучением низкоэнергетичеcкими протонами с последующей термообработкой при 275oC. Показано, что часть доноров проявляет свойство бистабильности, т. е. их концентрация обратимо изменяется при циклическом изменении температуры в диапазоне 100-200oC. Указывается на аналогию свойств перестраиваемых водородных доноров в германии с бистабильными водородными донорами в кремнии. PACS: 61.72.Ji, 61.72.Ss, 61.80.Fe, 73.40.Sx
- Pearton S.J., Corbett J.W., Stavola M. Hydrogen in crystalline semiconductors. Berlin: Springer, 1992
- Van de Walle C.G., Neugebauer J. // Annual Review of Materials Research. 2006. V. 36. P. 179--198
- Akatsu T. et al. // Materials Science in Semiconductor Processing. 2006. V. 9. P. 444--449
- Grimmeiss H.G. // ФТП. 1999. Т. 39. В. 9. С. 1032--1034
- Козловский В.В. // Модифицирование полупроводников пучками протонов. СПб.: Наука, 2003
- Мукашев Б.Н., Абдулин Х.А., Горелкинский Ю.В. // УФН. 2000. Т. 170. B. 2. С. 143--155
- Покотило Ю.М., Петух А.Н., Литвинов В.В., Цвырко В.Г. // ФТП. 2005. Т. 39. В. 7. С. 802--805
- Pokotilo Ju.M., Petukh A.N., Litvinov V.V., Markevich V.P., Kazuchits N.M. // Materials Science in Semiconductor Processing. 2006. V. 9. N 4--5. P. 629--633
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
