Вышедшие номера
Исследование планарного диода в режиме ограничения эмиссии
Пушкарев А.И.1, Сазонов Р.В.1
1НИИ высоких напряжений при ТПУ, Томск
Email: aipush@mail.ru
Поступила в редакцию: 13 августа 2007 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2008 г.

Выполнены экспериментальные исследования ВАХ плоского диода с графитовым взрывоэмиссионным катодом в начальный период формирования электронного тока. Получено аналитическое выражение для суммарной площади дискретных эмиссионных центров в приближении сотовой структуры и постоянства числа центров в течение формирования импульса тока. Показано, что рост электронного тока при дискретной эмиссионной поверхности катода удовлетворительно описывается модифицированным соотношением Чайлда-Ленгмюра при уменьшении форм-фактора от 6 до 1. PACS: 52.80.Vp