Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2008, выпуск 4 » Статья стр. 24
<<<>>>
Влияние дизайна напряженно-компенсированных сверхрешеток InAs/InGaAsN/GaAsN на их оптические свойства
Мамутин В.В.1, Егоров А.Ю.1, Крыжановская Н.В.1, Надточий А.М.1, Паюсов А.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mamutin@mail.ru
Поступила в редакцию: 6 августа 2007 г.
Выставление онлайн: 20 января 2008 г.
PDF версия
Проведены исследования влияния различного дизайна на оптические свойства гетероструктур, состоящих из квантовых ям и квантовых точек InAs, помещенных в напряженно-компенсированные (strain-compensated) сверхрешетки GaAsN/InGaAsN. Показано, что использование таких сверхрешеток с различными толщинами ям и барьеров и от одной до трех монослойных вставок InAs в активной области позволяет изменять длину волны излучения в диапазоне 1.30-1.76 mum при комнатной температуре без ухудшения излучательных характеристик. PACS: 73.21.Cd, 73.21.Fg, 73.21.La, 73.40.Kp, 78.55.-m, 78.67.Pt
  1. Устинов В.М., Егоров А.Ю., Мамутин В.В., Ковш А.Р., Одноблюдов В.А., Лившиц Д.А., Крыжановская Н.В., Семенова Е.С., Никитина Е.В., Шерняков Ю.М., Максимов М.В. // Изв. РАН. Сер. физ. 2004. Т. 68. С. 15
  2. Chow W.W., Harris J.S. // Jr. Appl. Phys. Lett. 2003. V. 82. P. 1673
  3. Kondow M., Uomi R., Niwa A. et al. // Jpn. Appl. Phys. 1996. V. 35. P. 1273
  4. Hugues H., Damilano B., Duboz J.-Y., Massies J. // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 88. P. 091111
  5. Y Liu H., Hopkinson H., Navaretti P., Gutierrez M., Hg J.S., David J.P.R. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 83. P. 4951
  6. Soshnikov I.P., Egorov A.Yu., Mamutin V.V. et al. // Semiconductors. 2004. V. 38. P. 340
  7. Егоров А.Ю., Мамутин В.В., Устинов В.М. Патент РФ N 2257640. Заявка N 2004113171, приоритет от 28.04.2004
  8. Odnoblyudov V.A., Egorov A.Yu., Mamutin V.V., Kovsh A.R., Nikitina E.V., Shernyakov Yu.M., Maksimov M.V., Ustinov V.M. // Tech. Phys. Lett. 2003. V. 29. P. 433
  9. Mamutin V.V., Bondarenko O.V., Egorov A.Yu., Kryzhanovskaya N.V., Shernyakov Yu.M., Ustinov V.M. // Technical Physics Lett. 2006. V. 32. P. 229
  10. Anderson T.G., Chen Z.G., Kulakovskii V.D., Uddin A., Vallin J.T. // Appl. Phys. Lett. 1987. V. 51. P. 752
  11. Moy A.M., Chen A.C., Cheng K.Y., Chou L.J., Hsieh K.C. // J. Cr. Growth. 1997. V. 175/176. P. 812
  12. Kudrawiec R. // J. Appl. Phys. 2007. V. 101. P. 023522
  13. Mamutin V.V., Bondarenko O.V., Egorov A.Yu., Kryshanovskaya N.V., Vasil'ev A.P., Gladyshev A.G., Mikhrin V.S., Ustinov V.M. // Technical Physics Lett. 2007. V. 33. P. 384
  14. Kryzhanovskaya N.V., Egorov A.Yu., Mamutin V.V., Polyakov N.K., Tsatsul'nikov A.F., Kovsh R.V., Ledentsov N.N., Ustinov V.M. Bimberg D. // Semiconductors. 2005. V. 39. P. 703

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme