Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2007, выпуск 12 » Статья стр. 61
<<<>>>
Исследование пленок 3C-SiC, выращенных на грани (0001) C подложек 6H-SiC
Лебедев А.А.1,2, Зеленин В.В.1,2, Абрамов П.Л.1,2, Лебедев С.П.1,2, Смирнов А.Н.1,2, Сорокин Л.М.1,2, Щеглов М.П.1,2, Yakimova R.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2IFM, Linkoping University, Linkoping, Sweden
Email: shura.lebe@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 января 2007 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2007 г.
PDF версия
Проведено исследование пленок 3C-SiC, выращенных на подложках (0001) С 6H-SiC методом сублимационной эпитаксии в вакууме. Методом рентгеновской дифрактометрии показано достаточно высокое структурное совершенство полученных эпитаксиальных слоев. Проведенное исследование спектров рамановского рассеяния показало, что эпитаксиальный слой 3C-SiC вырос непосредственно на подложке 6H-SiC, без образования каких-либо переходных слоев. Сделан вывод, что данные структуры пригодны для исследования двумерного электронного газа у гетероперехода 3C-SiC/6H-SiC. PACS: 68.55.Ac, 68.65.-k
  1. Лебедев А.А. // Semicond. Sci. Technol. 2006. V. 21. R17--R34
  2. Lebedev A.A., Strel'chuk A.M., Davydov D.V., Savkina N.S., Tregubova A.S., Kuznetsov A.N., Soloviev V.A., Poletaev N.K. // Appl. Surf. Science. 2001. V. 184. P. 419
  3. Fissel A., Schroter B., Kaiser U., Richter W. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 77. N 15. P. 2418
  4. Водаков Ю.А., Мохов Е.Н., Роенков А.Д., Аникин М.М. // Письма в ЖТФ. 1979. Т. 5. В. 6. С. 367
  5. Savkina N.S., Lebedev A.A., Davydov D.V., Strel'chuk A.M., Tregubova A.S., Raynaud C., Chante J.-P., Locatelli M.-L., Planson D., Milan J., Godignon P., Campos F.J., Mestres N., Pascual J., Brezeanu G., Badila M. // Mat. Science \& Eng. 2000. V. B77. P. 50
  6. Лебедев А.А., Зеленин В.В., Абрамов П.Л., Богданова Е.В., Лебедев С.П., Нельсон Д.К., Разбирин Б.С., Щеглов М.П., Трегубова А.С., Suvajarvi M., Yakimova R. // ФТП. 2007. Т. 41. В. 3. С. 273
  7. Reyes M., Waits M., Harvey S., Shiskin Y., Geil B., Wolman J.T., Saddow S.E. // Mat. Science Forum. 2006. V. 527--529. P. 307
  8. Feldlman D.W., H. Parker James, jr., Choyke W.J., Parker Lyle // Phys. Rev. 1968. V. 173. P. 787
  9. Steckl A.J., Devrajan J., Tlali S., Jackson H.E., Tran C., Gorin S.N., Ivanova L.M. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 69. P. 3824
  10. Klein M.V. // Light Scattering in Solids. V. 1. Ed. by M. Cardona. Berlin: Springer, 1975
  11. Yugami H., Nakashima S., Mitsuishi A., Uemoto A., Shigeta M., Furukawa K., Suzuki A., Nakajima S. // J. Appl. Phys. 1987. V. 61. P. 354
  12. Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Shur M.S., Eds. // Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe. John Wiley \& Sons, Inc., 2001

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme