Вышедшие номера
In situ контроль структуры кристаллов бестигельного Si (111) на основе поведения реберных выступов
Фрицлер К.Б.1, Труханов Е.М.1, Калинин В.В.1, Смирнов П.Л.1, Колесников А.В.1, Василенко А.П.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: kbf@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 6 января 2007 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2007 г.

Представлены результаты исследования морфологии боковой поверхноcти слитков монокристаллического кремния диаметром до 125 mm, выращенных в направлении [111] методом бестигельной зонной плавки на установках FZ-20 (фирма Haldor Topse) в ИФП СО РАН. Впервые описаны геометрические характеристики и морфологические особенности наиболее часто встречающихся на боковой поверхности слитка реберных выступов. Это позволило из множества наблюдающихся выступов выделить относящиеся к гранным формам роста октаэдра и ромбододекаэдра. Для симметричного и асимметричного индукторов установлены диаметры слитков, при превышении которых в бездислокационных кристаллах возникают выступы ромбододекаэдра. Их присутствие предлагается использовать для in situ контроля структурного состояния кристалла. PACS: 81.10.Aj, 81.10.Fq