Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
In situ контроль структуры кристаллов бестигельного Si (111) на основе поведения реберных выступов
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Email: kbf@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 6 января 2007 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2007 г.
Представлены результаты исследования морфологии боковой поверхноcти слитков монокристаллического кремния диаметром до 125 mm, выращенных в направлении [111] методом бестигельной зонной плавки на установках FZ-20 (фирма Haldor Topse) в ИФП СО РАН. Впервые описаны геометрические характеристики и морфологические особенности наиболее часто встречающихся на боковой поверхности слитка реберных выступов. Это позволило из множества наблюдающихся выступов выделить относящиеся к гранным формам роста октаэдра и ромбододекаэдра. Для симметричного и асимметричного индукторов установлены диаметры слитков, при превышении которых в бездислокационных кристаллах возникают выступы ромбододекаэдра. Их присутствие предлагается использовать для in situ контроля структурного состояния кристалла. PACS: 81.10.Aj, 81.10.Fq
- Ciszek T.F. // Crystal Growth. 1971. V. 10. P. 263--268
- Preparation and properties of solid state materials / Ed. W.R. Wilcox. V.5. W. Keller, A. Muhlbauer. Floating-zone silicon. New York, 1981. P. 237
- Салли И.В., Фалькевич Э.С. Управление формой роста кристаллов. Киев: Наук. думка, 1989. C. 158
- Строителев С.А. Кристаллохимический аспект технологии полупроводников. Новосибирск: Наука, 1976. С. 193
- Строителев С.А., Камарали В.В., Муравицкий С.А. // Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск: Наука, 1975. С. 42--44
- Фрицлер К.Б., Труханов Е.М., Калинин В.В. и др. // Актуальные вопросы современного естествознания. 2004. В. 2. С. 32--48
- Фрицлер К.Б., Труханов Е.М., Калинин В.В. и др. Пленочная рентгеновская интерферометрия и некоторые проблемы технологии БЗП кремния. --- Приложение к книге: Данильчук Л.Н., Окунев А.О., Ткаль В.А. и др. Рентгеновская топография кремния на основе пленочной интерферометрии эпитаксиальных систем и эффекта Бормана. Великий Новгород, 2006. С. 325--351
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
