"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
In situ контроль структуры кристаллов бестигельного Si (111) на основе поведения реберных выступов
Фрицлер К.Б.1, Труханов Е.М.1, Калинин В.В.1, Смирнов П.Л.1, Колесников А.В.1, Василенко А.П.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: kbf@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 6 января 2007 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2007 г.

Представлены результаты исследования морфологии боковой поверхноcти слитков монокристаллического кремния диаметром до 125 mm, выращенных в направлении [111] методом бестигельной зонной плавки на установках FZ-20 (фирма Haldor Topse) в ИФП СО РАН. Впервые описаны геометрические характеристики и морфологические особенности наиболее часто встречающихся на боковой поверхности слитка реберных выступов. Это позволило из множества наблюдающихся выступов выделить относящиеся к гранным формам роста октаэдра и ромбододекаэдра. Для симметричного и асимметричного индукторов установлены диаметры слитков, при превышении которых в бездислокационных кристаллах возникают выступы ромбододекаэдра. Их присутствие предлагается использовать для in situ контроля структурного состояния кристалла. PACS: 81.10.Aj, 81.10.Fq
  • Ciszek T.F. // Crystal Growth. 1971. V. 10. P. 263--268
  • Preparation and properties of solid state materials / Ed. W.R. Wilcox. V.5. W. Keller, A. Muhlbauer. Floating-zone silicon. New York, 1981. P. 237
  • Салли И.В., Фалькевич Э.С. Управление формой роста кристаллов. Киев: Наук. думка, 1989. C. 158
  • Строителев С.А. Кристаллохимический аспект технологии полупроводников. Новосибирск: Наука, 1976. С. 193
  • Строителев С.А., Камарали В.В., Муравицкий С.А. // Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск: Наука, 1975. С. 42--44
  • Фрицлер К.Б., Труханов Е.М., Калинин В.В. и др. // Актуальные вопросы современного естествознания. 2004. В. 2. С. 32--48
  • Фрицлер К.Б., Труханов Е.М., Калинин В.В. и др. Пленочная рентгеновская интерферометрия и некоторые проблемы технологии БЗП кремния. --- Приложение к книге: Данильчук Л.Н., Окунев А.О., Ткаль В.А. и др. Рентгеновская топография кремния на основе пленочной интерферометрии эпитаксиальных систем и эффекта Бормана. Великий Новгород, 2006. С. 325--351
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.