Вышедшие номера
Фотолюминесценция в области длин волн 1.5-1.8 mum пленок HgCdTe, полученных молекулярно-пучковой эпитаксией
Иванов-Омский В.И.1,2, Баженов Н.Л.1,2, Мынбаев К.Д.1,2, Смирнов В.А.1,2, Варавин В.С.1,2, Бабенко А.А.1,2, Икусов Д.Г.1,2, Сидоров Г.Ю.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: mynkad@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 7 ноября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2007 г.

Исследована фотолюминесценция в области длин волн 1.5-1.8 mum пленок HgCdTe, полученных молекулярно-пучковой эпитаксией. Установлено, что отжиг образцов в течение 20 h в инертной атмосфере при температуре 270oC приводит к изменению структуры спектров и интенсивности люминесценции. Первый эффект объяснен сглаживанием неоднородности состава по толщине эпитаксиальной пленки за счет взаимодиффузии компонентов сплава, а второй - улучшением структурных свойств материала. PACS: 78.55.-m.