Акустостимулированное изменение коэффициента поглощения арсенида галлия в диапазоне длин волн lambda=0.81/ 1.77 mum
Заверюхина Н.Н.1, Заверюхина Е.Б.1, Заверюхин Б.Н.1
1Физико-технический институт НПО "Физика
Поступила в редакцию: 1 сентября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2007 г.
Рассмотрено влияние ультразвуковых волн на спектральный коэффициент поглощения арсенида галлия. Обнаружено, что облучение ультразвуковыми волнами GaAs-монокристаллов приводит к изменению коэффициентов поглощения электромагнитного излучения последних. Наблюдаемый эффект такого изменения коэффициента поглощения связан с тем, что ультразвуковая волна, являясь носителем энергии, модифицирует дефектную систему кристалла и производит перераспределение атомов примеси в нем. Взаимодействие фотонов с акустогенерированными дефектами и приводит к изменению коэффициентов поглощения вблизи края фундаментальной полосы арсенида галлия. PACS: 78.20.-e, 78.30.Fs, 43.35.c
- Гаибов А.Г., Заверюхин Б.Н., Кревчик В.Д. и др. // Письма в ЖТФ. 1984. Т. 10. В. 10. С. 616--620
- Заверюхин Б.Н., Кревчик В.Д., Муминов Р.А. и др. // ФТП. 1986. Т. 20. В. 3. С. 525--528
- Заверюхин Б.Н., Заверюхин Н.Н., Турсункулов О.М. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. В. 18. С. 1--12
- Zaveryukhin B.N., Zaveryukhin N.N., Lesikova L.N. et al. // 3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion. Osaka, Japan. May 11-18 2003. 4P-A8 c-Si Theory, Characterisation and Passivation. 4P-A8-67. Poster 18
- Zaveryukhin B.N., Zaveryukhin N.N., Tursunkulov O.M. // 25th World Conference "Boundary Element Methods". Incorporating a Special Seminar on Electromagnetic Effects on the Human Body and Equipment. 8-10 September 2003. Split, Croatia. Organized by: Wessex Institute of Technology, UK University of Split, FESB, Croatia, Acoustics. P. 6
- Оптические свойства полупроводников / Под ред. Р. Уиллардсона и А. Бира. М.: Мир, 1970. 488 с
- Мосс Т. Оптические свойства полупроводников. М.: Изд-во иностр. лит., 1961. 304 с
- Сейсян Р.П., Абдуллаев М.А., Захарченя Б.П. // ФТП. 1972. Т. 6. В. 2. С. 408--409
- Биленко Д.И., Кондауров Е.Н., Куцевляк П.И. // Арсенид галлия. В. 4. / М-во высш. и сред. спец. образ. РСФСР. Сибирский физ.-тех. ин-т. Томск: Изд-во Томского ун-та, 1974. С. 29--32
- Брудный В.Н., Будницкий Д.Л., Кривов М.А. // Там же. С. 37--39
- Болтакс Б.И., Кометов М.Н., Скорятина Е.А. // Изв. вузов. Физика. 1983. Т. 26. N 10. С. 56--65
- Мильвидский М.Г., Освенский В.Б., Шершакова И.Н. // Там же. С. 5--17
- Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977. 672 с
- Заверюхина Е.Б., Заверюхина Н.Н., Лезилова Л.Н. и др. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. В. 1. С. 54--66
- Krevchik V.D., Mumihov R.A., Yafasov A.Ya. // Phys. Stat. Sol. (a). 1981. V. 63. P. K159--162
- Заверюхин Б.Н. Исследование особенностей переноса заряда в полупроводниковых детекторах. Канд. дис. Киев, 1990
- Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках. М.: Мир, 1974. 463 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук