Фоточувствительность гетеропереходов, полученных термическим окислением InP
Николаев Ю.А.1, Рудь В.Ю.1, Рудь Ю.В.1, Теруков Е.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Email: yuryrud@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 15 октября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2007 г.
Методом термического окисления впервые получены гетеропереходы n-Ox/p-InP. Исследованы стационарные вольт-амперные характеристики и фотовольтаический эффект полученных структур в естественном и линейно-поляризованном излучении. Обсуждаются особенности токопереноса и широкополосная фоточувствительность. Сделан вывод о возможностях применения метода термического окисления InP для создания на его основе гетерофотоэлементов. PACS: 71.20.Nr, 78.55.-m.
- Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1973
- Alferov Zh.I., Andreev V.M., Ledentsov N.N. Ioffe Institute 1918--1998. Development and Research Activities. Ioffe Institute, 1998
- Botnaryuk V.M., Gorchak L.V., Grigorjeva C.M., Kogan M.B., Kozyneva T.A., Lyubashevskaya L.L., Russu C.V., Simashkevich A.V. // Sol. Energy Mater. 1990. Т. 20. P. 359
- Ботнарюк В.М., Горчак Л.В., Диакону И.И., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. // ФТП. 1998. Т. 32. В. 1. С. 72
- Ботнарюк В.М., Горчак Л.В., Диакону И.И., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. // ЖТФ. 1998. Т. 68. В. 5. С. 72
- Konnikov S.G., Rud' V.Yu., Rud' Yu.V., Medvedev D., Berkovich F., Sergimov M., Tilevov S. // Jpn. J. Appl. Phys. 1993. V. 32. P. 515
- Hariskos D., Spiering S., Povalla M. // Thin Solid Films. 2005. V. 480--481. N 1. P. 99
- Зи C. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984
- Кесеманлы Ф.П., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. // ФТП. 1996. Т. 30. С. 1921
- Кесеманлы Ф.П., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. // ФТП. 1999. Т. 33. С. 513
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук