"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Абляция тонких эпитаксиальных пленок GaN под действием импульсного излучения KrF эксимерного лазера
Сейсян Р.П.1, Ермакова А.В.1, Калитеевская Н.А.1, Марков Л.К.1, Рымалис М.Р.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: annerm@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 7 ноября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2007 г.

Исследовались пороги лазерной абляции гетероэпитаксиальных слоев GaN, выращенных на сапфировой подложке. Получены зависимости толщины удаленной пленки GaN от плотности потока падающего вакуумного ультрафиолетового излучения с длиной волны 248 nm. Пороги фотоабляции и термоабляции составили соответственно 252 и 520 mJ/cm2. Анализ термоабляции позволил оценить изменение энтальпии реакции диссоциации GaN как 150 kJ/M, что согласуется с табличными данными. Данные, полученные в работе, легли в основу технологии изготовления "синих" светодиодов и позволили существенно увеличить выход излучения через поверхность диода. PACS: 81.05.Ea, 81.65.Cf, 82.50.Hp
  • Бараш Е.Г., Кабин А.Ю., Любин В.М., Сейсян Р.П. // ЖТФ. 1992. Т. 62. В. 3. С. 106
  • Сейсян Р.П. Прикладная физика: Микроэлектроника. Ч. 2. СПб.: Изд-во СПбГПУ, 2002
  • Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L.., Shur M.S. // Properties of advanced semiconductor materials: GaN, AlN, InN. Wiley--Interscience. 2001. V. 9. 216 p
  • Калитеевская Н.А., Коньков О.И., Теруков Е.И., Сейсян Р.П. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 26. В. 23. С. 11
  • Fujii T., Gao Y., Sharma R., Hu E.L., DenBaars P.S., Nakamura S. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 84. N 6. P. 855
  • Смирнова И.П., Марков Л.К., Закгейм Д.А., Аракчеева Е.М., Рымалис М.Р. // ФТП. 2006. Т. 40. В. 11. С. 1397
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.