Вышедшие номера
Абляция тонких эпитаксиальных пленок GaN под действием импульсного излучения KrF эксимерного лазера
Сейсян Р.П.1, Ермакова А.В.1, Калитеевская Н.А.1, Марков Л.К.1, Рымалис М.Р.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: annerm@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 7 ноября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2007 г.

Исследовались пороги лазерной абляции гетероэпитаксиальных слоев GaN, выращенных на сапфировой подложке. Получены зависимости толщины удаленной пленки GaN от плотности потока падающего вакуумного ультрафиолетового излучения с длиной волны 248 nm. Пороги фотоабляции и термоабляции составили соответственно 252 и 520 mJ/cm2. Анализ термоабляции позволил оценить изменение энтальпии реакции диссоциации GaN как 150 kJ/M, что согласуется с табличными данными. Данные, полученные в работе, легли в основу технологии изготовления "синих" светодиодов и позволили существенно увеличить выход излучения через поверхность диода. PACS: 81.05.Ea, 81.65.Cf, 82.50.Hp