Вышедшие номера
К вопросу влияния методов формирования защитного окисла при создании многоэлементной структуры фотоприемника мультискан на стабильность темнового тока
Подласкин Б.Г.1, Гук Е.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: bgp@holo.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 28 сентября 2006 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2007 г.

Исследовано влияние различных методов окисления на стабильность темнового тока в структурах, моделирующих конструкцию позиционно-чувствительного датчика мультискан. Использованные методы формирования окисла проанализированы с точки зрения соотношения величины вклада объемной и поверхностной составляющей темнового тока. Показано, что применение плазмохимического окисления позволяет совместить стабильность темного тока с преимуществами низкотемпературного окисления. PACS: 81.05.-t, 85.60.Dw