"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
К вопросу влияния методов формирования защитного окисла при создании многоэлементной структуры фотоприемника мультискан на стабильность темнового тока
Подласкин Б.Г.1, Гук Е.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: bgp@holo.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 28 сентября 2006 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2007 г.

Исследовано влияние различных методов окисления на стабильность темнового тока в структурах, моделирующих конструкцию позиционно-чувствительного датчика мультискан. Использованные методы формирования окисла проанализированы с точки зрения соотношения величины вклада объемной и поверхностной составляющей темнового тока. Показано, что применение плазмохимического окисления позволяет совместить стабильность темного тока с преимуществами низкотемпературного окисления. PACS: 81.05.-t, 85.60.Dw
  1. Подласкин Б.Г., Гук Е.Г. // Измерительная техника. 2005. N 8. С. 31--34
  2. Akiyama T., Kageshima H. // Applied Surface Science. 2003. V. 216. P. 270--274
  3. Kageshima H., Shiraishi K., Uematsu M. // Jpn. J. Appl. Phys. 1999. V. 38. L971
  4. Сазонов А., Мейтин М., Стряхилев Д., Nathan A. // ФТП. 2006. Т. 40. В. 8. С. 986--994
  5. Kuo Y. // Thin Film Transistors, Materials and Processes / Ed. by Y. Kuo. Boston: Kluwer Academic Publishers, 2004. V. I. P. 241
  6. Rashid R., Flewitt A.J., Grambole D., Kreibig U., Robertson J., Milne W.I. // Advanced Materials and Devices for Large-Area Electronics / J.S. Im., J.H. Werner, S. Uchikoga, T. Felter, T. Voutsas, H.J. Kim (eds). Mater Res. Soc. Symp. Proc. Pittsburgh, PA. 2001. V. 695E. P. D13.1.1
  7. Kircher C.J. // J. Appl. Phys. Lett. 1975. V. 46. P. 2167--2173

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.