Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2007, выпуск 5 » Статья стр. 31
<<<>>>
Транспортные свойства гетерогенной композиции --- термически окисленного микропорошка Si
Григорьев Л.В.1,2, Калмыков А.Е.1,2, Соколов В.И.1,2, Сорокин Л.М.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2НИИ физики им. В.А. Фока, СПб., Ст. Петергоф
Email: lev.sorokin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 15 октября 2006 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2007 г.
PDF версия
Представлены результаты исследования процессов токопереноса в слое композита - термически окисленного микропорошка Si, нанесенного на кремниевую подложку. Предложена модель, основанная на совокупности прыжкового и туннельного механизмов переноса заряда. На основе измерений ВАХ при 300 и 100 K как при освещении, так и в темноте были оценены концентрации центров захвата (ловушек) и подвижность носителей заряда. Определены энергии активации и частотные факторы центров захвата носителей заряда. PACS: 81.05.-t
  1. Хребтов И.А., Маляров В.Г. // Оптический журнал. 1997. Т. 64. N 6. C. 3--17
  2. Liddiard K.C. // Infrared Phys. 1996. V. 26. N 1. P. 3--49
  3. Liddiard K.C., Unewiesse M.H., Reinhold O. // Proc. SPIE. 1994. V. 2225. P. 62--71
  4. Shepeliavyi P.E., Michailovskaya K.V., Indutnyi I.Z. // Intern. Conferences "Advanced Materials". Kiev, 1999. P. 92
  5. Михайловская Е.В., Индутный И.З., Шепелявый П.Е. // ЖТФ. 2003. Т. 73. В. 2. С. 129--132
  6. Михеева О.П., Сидоров А.И. // ЖТФ. 2003. Т. 73. В. 5. С. 79--83
  7. Rafig M.A., Tsuchiya Y., Mizuta H., Oda S. et al. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 87. 182101
  8. Сканави Г.И. Физика диэлектриков. М.: Гослитиздат, 1958. Т. 2. 830 с
  9. Skuja L.N., Silin A.R. // Phys. Stat. Sol. A. 1982. V. 70. P. 43--45
  10. Корзо В.Ф., Черняев В.Н. Диэлектрические пленки в микроэлектронике. М.: Энергия, 1977. 367 с
  11. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973. 413 с
  12. Барабан А.П., Коноров П.П., Кручинин А.А. // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 1985. Т. 7. С. 31
  13. Hill R.M. // Phil. Mag. 1971. V. 24. N 192. P. 1307
  14. Гороховатский Ю.А., Бордовский Г.А. Термоактивационная спектроскопия высокоомных материалов. М.: Наука, 1991. 320 c
  15. Гороховатский Ю.А., Григорьев Л.В. // Мат. Международной науч.-техн. конференции по электрической релаксации в высокоомных материалах "Релаксация-94". СПб., 1994. С. 60--61
  16. Вентер Е.Ф., Голипей Р.Ю., Матвеева Л.О. // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2001. В. 36. С. 199--212
  17. Kolesnikova E.V., Sitnikova A.A., Sokolov V.I., Zamoryanskaya M.V. // Solid state Phenomena. 2005. V. 108--109. P. 729--734

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme