Точечные фоточувствительные структуры на кристаллах CuIn2m+1Se3m+2
Боднарь И.В., Ковальчук А.М., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И.
Email: rudvas@spbstu.ru
Поступила в редакцию: 7 сентября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 января 2007 г.
Методом сварки в электрическом разряде впервые получены точечные фоточувствительные структуры на основе монокристаллов CuIn2m+1Se3m+2 (m=0,1,2). Исследованы стационарные вольт-амперные характеристики и фотовольтаический эффект структур на основе тройных соединений CuInSe2, CuIn3Se5 и CuIn5Se8. Обнаружены выпрямление и фотопреобразование в полученных структурах. Определены характер межзонных переходов и ширина запрещенной зоны в ряду соединений CuInSe2, CuIn3Se5 и CuIn5Se8. Сделан вывод о возможностях применения метода сварки для создания фотопреобразовательных структур на многокомпонентных полупроводниках. PACS: 73.40.Sx, 73.43.Fj
- Боднарь И.В., Кушнер Т.Л., Рудь В.Ю. и др. // ЖПС. 2002. Т. 69. N 4. С. 520--524
- Bodnar I., Victorov I., Leon M. et al. // Abstract book of ICTMC-16. Kyoto, Japan, 2006
- Боднарь И.В., Дмитриева Е.С., Никитин С.Е. и др. // ФТП. 2005. Т. 39. N 4. С. 426--429
- Sze S.M. Physics of Semiconductor Devices. New York: Willey Interscience Publ., 1981
- Ламперт Г., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973
- Боднарь И.В., Дмитриева Е.С., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. // ЖТФ. 2005. Т. 75. В. 3. С. 84--87
- Милнс А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник. М.: Мир, 1975
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук