Вышедшие номера
Локализованные состояния в активной области голубых светодиодов, связанные с системой протяженных дефектов
Давыдов Д.В.1, Закгейм А.Л.1, Снегов Ф.М.1, Соболев М.М.1, Черняков А.Е.1, Усиков А.С.1, Шмидт Н.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Natalia.Shidt@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 8 августа 2006 г.
Выставление онлайн: 20 января 2007 г.

Представлены результаты сравнительных исследований C-V- и DLTS-методами в диапазоне температур 100-450 K и при освещении белым светом синих и голубых светодиодов (СД) на основе InGaN/GaN с разным характером организации системы протяженных дефектов (СПД), пронизывающих активную область СД. Выявлены широкие пики E1 и E2, амплитуды которых зависели от оптической подсветки. Поведение этих пиков может быть объяснено присутствием локализованных состояний в активной области СД, связанных с СПД. Обнаруженная более высокая концентрация донорных ловушек в СД с более развитой СПД, приводящая к росту концентрации свободных носителей в квантовых ямах, экранирующих электронно-дырочное взаимодействие, может быть одной из причин в несколько раз меньших значений квантовой эффективности таких СД. PACS: 85.60.Jb