Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Локализованные состояния в активной области голубых светодиодов, связанные с системой протяженных дефектов
Давыдов Д.В.1, Закгейм А.Л.1, Снегов Ф.М.1, Соболев М.М.1, Черняков А.Е.1, Усиков А.С.1, Шмидт Н.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: Natalia.Shidt@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 8 августа 2006 г.
Выставление онлайн: 20 января 2007 г.
Представлены результаты сравнительных исследований C-V- и DLTS-методами в диапазоне температур 100-450 K и при освещении белым светом синих и голубых светодиодов (СД) на основе InGaN/GaN с разным характером организации системы протяженных дефектов (СПД), пронизывающих активную область СД. Выявлены широкие пики E1 и E2, амплитуды которых зависели от оптической подсветки. Поведение этих пиков может быть объяснено присутствием локализованных состояний в активной области СД, связанных с СПД. Обнаруженная более высокая концентрация донорных ловушек в СД с более развитой СПД, приводящая к росту концентрации свободных носителей в квантовых ямах, экранирующих электронно-дырочное взаимодействие, может быть одной из причин в несколько раз меньших значений квантовой эффективности таких СД. PACS: 85.60.Jb
- Ankudinov A.V., Besyulkin A.I., Kolmakov A.G., Lundin W.V., Ratnikov V.V., Sitnikova A.A., Titkov A.N., Usikov A.S., Yakimov E.B., Zolotareva R.V. // Physica B. 2003. V. 340--342. P. 462--465
- Анкудинов А.В., Золотарева Р.В., Колмаков А.Г., Ратников В.В., Титков А.Н., Шмидт Н.М. // Труды 3-й Всероссийской конференции "Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы". 2004. С. 76--78
- Donnelly J.P., Milnes A.G. // IEEE Trans. Electron. Dev. 1967. V. ED-14. N 2. P. 63--68
- Соболев М.М., Гитцович А.В., Папенцев М.И., Кочнев И.В., Явич Б.С. // ФТП. 1992. Т. 26. В. 10. С. 1760--1767
- Соболев М.М., Ковш А.Р., Устинов В.М., Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Мусихин Ю.Г. // ФТП. 1999. Т. 33. В. 2. С. 184--193
- Sobolev M.M., Kovsh A.R., Ustinov V.V., Egorov A.Yu., Zhukov A.E., Musikhin Yu.G. // J. Electronic Mat. 1999. V. 28. P. 491--495
- Соболев М.М., Кочнев И.В., Лантратов В.М., Берт Н.А., Черкашин Н.А., Леденцов Н.Н. // ФТП. 2000. Т. 34. В. 2. С. 200--210
- Соболев М.М., Жуков А.Е., Васильев А.П., Семенова Е.С., Михрин В.С., Цырлин Г.Э., Мусихин Ю.Г.// ФТП. 2006. Т. 40. В. 3. С. 84--90
- Соболев М.М., Устинов В.М., Жуков А.Е., Мусихин Ю.Г., Леденцов Н.Н. // ФТП. 2002. Т. 36. В. 9. С. 1089--1096
- Соболев М.М., Цырлин Г.Э., Самсоненко Ю.Б., Поляков Н.К., Тонких А.А., Мусихин Ю.Г. // ФТП. 2005. Т. 39. В. 1. С. 131--134
- Moseley A.J., Robbins D.J., Marshall A.C., Kearley M.Q., Davies J.I. // Semicond. Sci. Technol. 1989. V. 4. P. 184--190
- Makram-Ebeid S., Boher P. // Rev. Phys. Appl. 1988. V. 23. N 5. P. 847--862
- Brunkov P.N., Kalinovsky V.S., Nikitin V.G., Sobolev M.M. // Semicond. Sci. Technol. 1992. V. 7. P. 1237--1240
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
