Прямое сращивание пластин карбида кремния с регулярным рельефом на интерфейсе
Грехов И.В.1, Костина Л.С.1, Аргунова Т.С.1, Белякова Е.И.1, Je J.H.1, Иванов П.А.1, Самсонова Т.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия Университет г. Поханг, Республика Корея
Поступила в редакцию: 6 января 2006 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2006 г.
Приведены результаты исследования прямого сращивания свободных от окисла монокристаллических пластин карбида кремния 6H-SiC (0001) с искусственным микрорельефом, сформированным на поверхности одной из пластин. По данным рентгеновских топографических исследований доля сросшейся площади достигает 85% от общей площади структуры. Распределение напряжений на интерфейсе непериодическое, что свидетельствует о неоднородной микрошероховатости сращиваемых пластин. PACS: 81.05.Hd
- Tong Q.-Y., Gosele U. Semiconductor Wafer Bonding: Science and Technology. J. Wiley\&Sons, Inc., 1999. 279 c
- Yushin G.N., Kvit A.G., Gollazo R., Sitar Z. // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 2003. V. 742. P. K-2.5
- Grekhov I.V., Argunova T.S., Kostina L.S. et al. // Electronics Letters. 1995. V. 31. P. 2047--2048
- Аргунова Т.С., Грехов И.В., Костина Л.С. и др. // ФТТ. 1999. Т. 41. В. 11. С. 1790--1798
- Bowen D.K., Tanner B.K. High Resolution X-ray Diffractometry and Topography. Taylor Francis, London, 1998
- Hartwig J., Kohler S., Ludwig W. et al. // Cryst. Res. Technol. 2002. V. 37. N 7. P. 705--715
- Milita S., Le Tiec Y., Pernot E. et al. // Appl. Phys. A. 2002. V. A75. P. 621--627
- Грехов И.В., Костина Л.С., Аргунова Т.С. и др. // ЖТФ. 2001. Т. 71. В. 6. С. 45--51.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
