Вышедшие номера
Увеличение плотности нанокластеров beta-FeSi2 на поверхности Si(111) с помощью формирования реконструкции Si(111)sqrt(3)sqrtB
Иванченко М.В.1,2, Борисенко Е.А.1,2, Котляр В.Г.1,2, Утас О.А.1,2, Устинов В.В.1,2, Лифшиц В.Г.1,2
1Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток
2Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Email: maxim@iacp.dvo.ru
Поступила в редакцию: 29 ноября 2005 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2006 г.

С помощью метода сканирующей туннельной микроскопии исследовано формирование нанокластеров дисилицида железа beta-FeSi2 в результате твердофазной эпитаксии при температурах отжига 500-700oC и покрытиях железа 0.05-0.5 моноатомного слоя на модифицированной бором поверхности Si(111)sqrt(3)sqrtB. Сопоставление с результатами для чистой поверхности Si(111)7x7 показало, что плотность нанокластеров beta-FeSi2 на Si(111)sqrt(3)sqrtB значительно превышает их плотность на поверхности Si(111)7x7. При этом плотность точечных дефектов и структур, обладающих металлическим типом проводимости, на поверхности Si(111)sqrt(3)sqrtB на несколько порядков ниже, чем на поверхности Si(111)7x7 при аналогичных покрытиях Fe и температурах отжига. PACS: 81.07.-b