Низкотемпературная кристаллизация аморфного кремния, стимулированного лазерным излучением
Авсаркисов С.А.1, Джибути З.В.1, Долидзе Н.Д.1, Цеквава Б.Е.1
1Тбилисский государственный университет им. Ив. Джавахишвили, Грузия
Email: nugo42@mail.ru
Поступила в редакцию: 30 сентября 2005 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.
Приводятся результаты экспериментов по лазерному отжигу в alpha-Si при различных начальных температурах 77 и 300 K. Показана возможность проведения процессов лазерного отжига при относительно низких температурах. Предлагается теоретическая модель, объясняющая это явление по электронному механизму плавления с последующей рекристаллизацией. PACS: 64.10.+h, 61.50.Ks
- Двуреченский А.В., Качурин Г.А., Нидаев Е.В., Смирнов Л.С. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. М.: Наука, 1982. 206 с
- Абакумов В.Н., Алфёров Ж.И., Ковальчук Ю.В., Портной Е.Л. // ФТП. 1983. Т. 17. В. 12. С. 2224--2227
- Копаев Ю.В., Меняйленко В.В., Молотков С.Н. // ФТТ. 1985. Т. 27. В. 11. С. 3288--3294
- Гвердцители И.Г., Герасимов А.Б., Джибути З.В., Пхакадзе М.Г. // Поверхность. 1985. N 11. С. 132--133
- Балтрамеюнас Р., Гашка Р., Куокштис Э., Синюс Я. // ФТП. 1987. Т. 21. В. 12. С. 2219--2225
- Риссел Х., Круге Н. Ионная имплантация // М.: Наука, 1983. 360 с
- Баязитов Р.М., Ивлев Г.Д., Хайбулин И.Б. и др. // ФТП. 1988. Т. 22. В. 1. С. 79--83
- Ивлев Г.Д., Романова Н.И. // Поверхность. 1989. N 4. С. 145--147
- Dolidze N.D., Jibuti Z.V., Mordkovich V.N., Tsekvava B.E. // GEN. 2005. N 4. P. 77--79
- Мотт Н., Девис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. Т. 1, 2 // М.: Мир, 1982. 664 с
- Нидаев Е.В., Васильев А.Л. // ФТП. 1988. Т. 22. В. 7. С. 1190--1195
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук