Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2005, выпуск 12 » Статья стр. 39
<<<>>>
Фотолюминесценция в пленках Si0.9Ge0.1O2 и GeO2, облученных ионами кремния
Горшков О.Н.1, Дудин Ю.А.1, Камин В.А.1, Касаткин А.П.1, Михайлов А.Н.1, Новиков В.А.1, Тетельбаум Д.И.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: gorshkov@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 25 января 2005 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2005 г.
PDF версия
Исследованы фотолюминесцентные свойства пленок 90 mol.% SiO2-10 mol.% GeO2 и GeO2, сформированных методом ВЧ-магнетронного распыления, подвергнутых облучению ионами кремния и последующему отжигу. В слоях GeO2 впервые обнаружена фотолюминесценция, связанная с нанокристаллами кремния. Показано, что в пленках трансформация дефектных центров, люминесцирующих в области 350-600 nm, и формирование нанокристаллов кремния, излучающих в области 700-800 nm, существенно зависят от типа матрицы. В частности, в слоях 90 mol.% SiO2-10 mol.% GeO2 полоса при 700-800 nm выражена слабо. Обсуждается роль изовалентного замещения атомов Si и Ge в процессах перестройки дефектных центров и формирования нанокристаллов кремния.
  1. Rebohle L., von Borany J., Yankov R.A. et al. // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71 (19). P. 2809--2811
  2. Качурин Г.А., Реболе Л., Тысченко И.Е. и др. // ФТП. 2000. Т. 34 (1). С. 23--27
  3. Maeda Y., Tsukamoto N., Yazawa Y. et al. // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59 (24). P. 3168--3170
  4. Kanemitsu Y., Uto H., Masumoto Y. et al. // Appl. Phys. Lett. 1992. V. 61 (18). P. 2187--2189
  5. Maeda Y. // Phys. Rev. B. 1995. V. 51 (3). P. 1658--1670
  6. Okamoto S., Kanemitsu Y. // Phys. Rev. B. 1996. V. 54 (23). P. 16 421--16 424
  7. Неуструев В.Б. // Волоконно-оптические технологии, материалы и устройства. 2000. Т. 3. С. 12--34
  8. Skorupa W., Rebohle L., Gebel T. // Appl. Phys. A. 2003. V. 76. P. 1049--1059
  9. Nishikawa H., Shiroyama T., Nakamura R. et al. // Phys. Rev. B. 1992. V. 45 (2). P. 586--591
  10. Hosono H., Abe Y., Kinser D.L. et al. // Phys. Rev. B. 1992. V. 46 (18). P. 11 445--11 451
  11. Nishii J., Fukumi K., Yamanaka H. et al. // Phys. Rev. B. 1995. V. 52 (3). P. 1661--1665
  12. Liao L.-S., Bao X.-M., Zheng X.-Q. et al. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 68 (6). P. 850--852
  13. Tohmon R., Shimogaichi J., Mizuno H. et al. // Phys. Rev. Lett. 1989. V. 62 (12). P. 1388--1391
  14. Gallagher M., Osterberg U. // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 63 (22). P. 2987--2989
  15. Тысченко И.Е., Талочкин А.Б., Черков А.Г. и др. // ФТП. 2003. Т. 37 (4). С. 479--484
  16. Hughes P.J., Knights AP., Weiss B.L. et al. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74 (22). P. 3311--3313
  17. Min K.S., Scheglov K.V., Yang C.M. et al. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 69 (14). P. 2033--2035
  18. Tetelbaum D.I., Gorshkov O.N., Trushin S.A. et al. // Nanotechnology. 2000. V. 11. P. 295--297
  19. Kachurin G.A., Tischenko I.E., Zhuravlev K.S. et al. // Nucl. Instr. Meth. B. 1997. V. 122. P. 571--574
  20. Garrido Fernandez B., Lopez M., Garcia C. et al. // J. Appl. Phys. 2002. V. 91 (2). P. 798--807
  21. Zacharias M., Fauchet P.M. // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71 (3). P. 380--382
  22. Zacharias M., Weigand R., Dietrich B. et al. // J. Appl. Phys. 1997. V. 81 (5). P. 2384--2390.
  23. Пчеляков О.П., Болховитянов Ю.Б., Двуреченский А.В. и др. // ФТП. 2000. Т. 34 (11). С. 1281--1290
  24. Guha S., Qadri S.B., Musket R.G. et al. // J. Appl. Phys. 2000. V. 88. P. 3954--3961
  25. Shimizu-Iwayama T., Fujita K., Nakao S. et al. // J. Appl. Phys. 1994. V. 75. P. 7779--7783
  26. Zhuravlev K.S., Gilinsky A.M., Kobitsky A.Yu. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 37 (20). P. 2962--2964
  27. Бурдов В.А. // ФТП. 2002. Т. 36. С. 1233--1236
  28. Веденеев В.И. и др. Энергии разрыва химических связей. Потенциалы ионизации, сродства к электрону. М.: АН СССР, 1962.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme