"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Туннелирование спин-поляризованных носителей заряда в пленке La0.8Ag0.1MnO3+delta с вариантной структурой: магнитотранспортные и магнитооптические данные
Сухоруков Ю.П.1,2, Телегин А.В.1,2, Ганьшина Е.А.1,2, Лошкарева Н.Н.1,2, Кауль А.Р.1,2, Горбенко О.Ю.1,2, Мостовщикова Е.В.1,2, Мельников О.В.1,2, Виноградов А.Н.1,2
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: suhorukov@imp.uran.ru
Поступила в редакцию: 27 января 2005 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2005 г.

С целью выяснения особенностей механизма проводимости и магнитосопротивления во впервые полученной эпитаксиальной пленке La0.8Ag0.1MnO3+delta с вариантной структурой, выращенной на подложке ZrO2(Y2O3), исследованы оптические, магнитооптические и транспортные свойства. Предложена оригинальная методика разделения вкладов в магнитосопротивление пленки, связанных с колоссальным магнитосопротивлением вблизи TC и с туннельным магнитосопротивлением, на основе сопоставления данных магнитосопротивления и магнитопропускания инфракрасного излучения пленкой. Установлено, что туннельное магнитосопротивление обусловлено высокоугловыми границами структурных доменов и описывается функцией Deltarho/rho~(a+b/sqrt(T)sqrt, величина спин-поляризации носителей заряда в пленке La0.8Ag0.1MnO3+delta с вариантной структурой составляет P~0.5.
  1. Gorbenko O.Yu., Melnikov O.V., Kaul A.R. et al. // Chem. Mat. 2005 (To be published)
  2. Ye S.L., Song W.H., Dai J.M. et al. // JMMM. 2002. V. 248. P. 26--33
  3. Pi L., Hervieu M., Maignan A., Martin C., Raveau B. // Solid State Comm. 2003. V. 126. P. 229--234
  4. Gorbenko O.Yu., Melnikov O.V., Kaul A.R. et al. // Materials Science and Engineering B. 2005. (To be published)
  5. Tao T., Cao Q.Q., Gu K.M., Xu H.Y. et al. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 77. N 5. P. 723--725
  6. Sukhorukov Yu.P., Loshkareva N.N., Telegin A.V. et al. // Tech. Phys. Lett. 2003. V. 29. N 11. P. 904--906
  7. Кауль А.Р., Горбенко О.Ю., Каменев А.А. // Успехи химии. 2004. Т. 73. В. 9. С. 932--939
  8. Горбенко О.Ю., Демин Р.В., Кауль А.Р. и др. // ФТТ. 1998. Т. 40. В. 2. С. 290--294
  9. Ziese M. // Rep. Prog. Phys. 2002. V. 65. P. 143--249
  10. Balykina E.A., Gan'shina E.A., Krinchik G.S. et al. // JMMM. 1992. V. 117. P. 259--269
  11. Ганьшина Е.А., Родин И.К., Лошкарева Н.Н. и др. // Известия АН. Сер. физ. 2002. Т. 66. С. 6. С. 767--773
  12. Sukhorukov Yu.P., Loshkareva N.N., Gan'shina E.A. et al. // JETP. 2003. V.96. N 2. P. 257--267
  13. Сухоруков Ю.П., Лошкарева Н.Н., Ганьшина Е.А. и др. // ФТТ. 2004. Т. 46. В. 7. С. 1203--1213
  14. Sukhorukov Yu.P., Gan'shina E.A., Belevtsev B.I. et al. // J. Appl. Phys. 2002. V. 91. N 7. P. 4403--4408
  15. Gan'shina E.A., Vashuk H.V., Vinogradov A.N. et al. // Book of abstracts. Symposium EASTMAG. Krasnoyarsk, Russia, 2004. P. 231
  16. Loshkareva N.N., Solin N.I., Sukhorukov Yu.P. et al. // Physica B. 2001. V. 293. P. 390--393
  17. Лошкарева Н.Н., Сухоруков Ю.П., Наумов С.В. и др. // Письма в ЖЭТФ. 1998. Т. 68. В. 1. С. 89--92
  18. Sukhorukov Yu.P., Nossov A.P., Loshkareva N.N. et al. // J. Appl. Phys. 2005. (To be published)
  19. Hwang H.Y., Cheong S.-W., Ong N.P., Batlogg B. // Phys. Rev. Lett. 1996. V. 77. N 10. P. 2041--2044
  20. Helman J.S., Abeles B. // Phys. Rev. Lett. 1976. V. 37. N 21. P. 1429--1432
  21. Gittleman J.I., Goldsrein Y., Bozowski S. // Phys. Rev. B. 1972. V. 5. N 9. P. 3609--3621
  22. Mitani S., Takanashi S., Yakushiji K. et al. // Phys. Rev. Lett. 1998. V. 81. N 13. P. 2799--2802

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.