Вышедшие номера
Повышение эффективности светодиодов на основе твердых растворов GaInAsSb при пониженном содержании мышьяка в активной области
Журтанов Б.Е.1, Данилова Т.Н.1, Именков А.Н.1, Сиповская М.А.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 ноября 2004 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2005 г.

Созданы светодиодные структуры на подложках GaSb с составом активной области Ga1-xInxAsySb1-y вблизи границы несмешиваемости (x=0.24) с пониженным содержанием As (y=0.16) относительно изопериодного состава. Обнаружена большая плотность дислокаций несоответствия. Тем не менее внешний квантовый выход излучения имеет рекордное значение 1.2% при комнатной температуре для спектральной полосы с длиной волны в максимуме 2.42 mum. Максимальная импульсная мощность излучения достигает 3.3 mW при токе 600 mA. Преобладает межзонное излучение, что говорит о высокой степени стехиометрии активной области.