Пассивация поверхности кремния диэлектрическими пленками из оксида эрбия
Родионов М.А.1, Рожков В.А.1
1Самарский государственный университет
Email: rozhkov@ssu.samara.ru
Поступила в редакцию: 27 июля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 января 2005 г.
Исследованы рекомбинационные свойства кремния, пассивированного диэлектрическими пленками из оксида эрбия. Установлено, что после нанесения пленок оксида эрбия эффективное время жизни неравновесных носителей заряда, измеренное методом релаксации нестационарной фотопроводимости, возрастает в 2-3 раза. Определены величины скорости поверхностной рекомбинации на границе раздела кремний-оксид эрбия и показана перспективность применения диэлектрических пленок из оксида эрбия в качестве пассивирующих покрытий кремниевых приборов и элементов интегральных схем.
- Аношин Ю.А., Петров А.И., Рожков В.А. и др. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. В. 10. С. 54--58
- Рожков В.А, Петров А.И. // Изв. вузов. Физика. 1994. N 7. С. 99--104
- Петров А.И., Рожков В.А. // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. В. 7. С. 16--21
- Рожков В.А, Петров А.И. // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 1999. Т. 2. N 3-4. С. 69--70
- Родионов М.А., Рожков В.А., Пашин А.В. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. В. 12. С. 56--61
- Рожков В.А., Родионов М.А. // Тез. докл. II Междунар. науч.-техн. конф. "Физика и технические приложения волновых процессов". Самара, 2003. С. 358--361
- Ржанов А.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников. М.: Наука, 1971. 480 с
- Литовченко В.Г., Горбань А.П. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник. Киев: Наук. думка, 1978. 316 с
- Саченко А.В., Новоминский Б.А., Калшабеков А.С. // Тез. докл. XII Всесоюз. науч. конф. по микроэлектронике. Ч. 3. Тбилиси, 1987. С. 143
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук