Вышедшие номера
Пассивация поверхности кремния диэлектрическими пленками из оксида эрбия
Родионов М.А.1, Рожков В.А.1
1Самарский государственный университет
Email: rozhkov@ssu.samara.ru
Поступила в редакцию: 27 июля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 января 2005 г.

Исследованы рекомбинационные свойства кремния, пассивированного диэлектрическими пленками из оксида эрбия. Установлено, что после нанесения пленок оксида эрбия эффективное время жизни неравновесных носителей заряда, измеренное методом релаксации нестационарной фотопроводимости, возрастает в 2-3 раза. Определены величины скорости поверхностной рекомбинации на границе раздела кремний-оксид эрбия и показана перспективность применения диэлектрических пленок из оксида эрбия в качестве пассивирующих покрытий кремниевых приборов и элементов интегральных схем.