Динамика самоорганизации гексагональных структур пор при анодном травлении и окислении полупроводников и металлов
Емельянов В.И.1, Игумнов В.В.1, Старков В.В.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова Институт проблем технологии микроэлектроники РАН, Моск. обл., Черноголовка
Поступила в редакцию: 5 ноября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.
С помощью Фурье-преобразования SEM-сканов поверхности Al2O3 и Si, сделанных при различных длительностях анодного окисления Al и травления Si, прослежена динамика самоорганизации в q-пространстве гексагональных ансамблей пор. Качественно излагаются результаты развитой нелинейной дефектно-деформационной теории самоорганизации гексагональных ансамблей пор, описывающей эту динамику.
- Crouse D., Lo Y.H., Miller A.E. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 76. P. 49
- Горячев Д.Н., Беляков Л.В., Сресели О.М. // ФТП. 2000. Т. 34. С. 1130
- Емельянов В.И., Еремин К.И., Старков В.В. // Квантовая электроника. 2002. Т. 32. С. 473
- Emel'yanov V.I., Eriomin K.I., Starkov V.V., Gavrilin E.Yu. // Laser. Phys. 2003. V. 13. N 11. P. 1442
- Емельянов В.И., Еремин К.И., Старков В.В., Гаврилин Е.Ю. // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. В. 6. С. 19
- Masuda H., Yada K., Osaka A. // Jpn. J. Appl. Phys. 1998. V. 37. P. L1340
- Langa S., Christophersen V., Carstensen J., Tiginyanu I.M., Foll H. // Phys. Stat. Sol. (a). 2003. V. 197. P. 77
- Emel'yanov V.I. // Microelectronic Engineering. 2003. V. 69. N 2--4. P. 435
- Емельянов В.И. // Квантовая электроника. 1999. Т. 28. С. 2; ФТТ. 2000. Т. 42. С. 1026
- Lehman V., Stengl R., Luigart A. // Materials Sci. and Engineering. 2000. V. B69--70. P. 11.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2023 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук