Вышедшие номера
Динамика самоорганизации гексагональных структур пор при анодном травлении и окислении полупроводников и металлов
Емельянов В.И.1, Игумнов В.В.1, Старков В.В.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова Институт проблем технологии микроэлектроники РАН, Моск. обл., Черноголовка
Поступила в редакцию: 5 ноября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.

С помощью Фурье-преобразования SEM-сканов поверхности Al2O3 и Si, сделанных при различных длительностях анодного окисления Al и травления Si, прослежена динамика самоорганизации в q-пространстве гексагональных ансамблей пор. Качественно излагаются результаты развитой нелинейной дефектно-деформационной теории самоорганизации гексагональных ансамблей пор, описывающей эту динамику.