"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Поверхностно-барьерные переходы олово-диселенид индия и меди
Ковалюк З.Д.1, Орлецкий В.Б.1, Сидор О.Н.1, Нетяга В.В.1
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
Email: chimsp@unicom.cv.ua
Поступила в редакцию: 9 декабря 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.

Методом термического испарения в вакууме олова были созданы фоточувствительные барьеры Шоттки на кристаллах CuInSe2 p-типа проводимости. Обсуждаются температурные зависимости вольт-амперных характеристик. Показано, что в прямом смещении присутствуют как токи, ограниченные пространственным зарядом, так и термоэлектронная эмиссия. Для обратных смещений характерны генерационные токи в области пространственного заряда и мягкий пробой. Из спектральной зависимости фототока, приведенного к числу падающих фотонов, следует, что полученные структуры представляют собой широкополосные фотопреобразователи.
  1. Современные проблемы полупроводниковой фотоэнергетики / Под ред. Коутса Т., Микина Дж. М.: Мир, 1988. 307 с
  2. Rockett A., Birkmire R.W. // J. Appl. Phys. 1991. V. 70. N 7. R81--R97
  3. Gabor A.M., Tuttle J.R., Albin D.S., Contreras M.A., Noufi R., Herman A.M. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65. N 2. P. 198--200
  4. Горлей П.М., Ковалюк З.Д., Орлецкий В.Б. и др. // ПЖТФ. 2004. (В печати)
  5. Ламперт Г., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973. 416 с
  6. Jagannathan B., Anderson W.A. // Solar Energy Materials \& Solar Cells. 1996. V. 44. P. 165--176

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.