Методом термического испарения в вакууме олова были созданы фоточувствительные барьеры Шоттки на кристаллах CuInSe₂ p-типа проводимости. Обсуждаются температурные зависимости вольт-амперных характеристик. Показано, что в прямом смещении присутствуют как токи, ограниченные пространственным зарядом, так и термоэлектронная эмиссия. Для обратных смещений характерны генерационные токи в области пространственного заряда и мягкий пробой. Из спектральной зависимости фототока, приведенного к числу падающих фотонов, следует, что полученные структуры представляют собой широкополосные фотопреобразователи.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.