Особенности подавления люминесценции эрбия в пленках на основе фосфатных стекол при облучении ионами водорода
Горшков О.Н.1, Дмитрюк А.В.1, Камин В.А.1, Касаткин А.П.1, Михайлов М.Д.1, Новиков В.А.1, Чигинева А.Б.1, Чигиринский Ю.И.1
1ООО "СЕНСИС", С.-Петербург ЗАО "ХОЛОГРЭЙТ", С.-Петербург
Email: gorshkov@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 6 октября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2004 г.
Исследовано влияние облучения ионами водорода и гелия на фотолюминесценцию в фосфатных пленках, легированных иттербием и эрбием. Обнаружено, что в случае облучения пленок ионами водорода происходит более эффективное подавление интенсивности фотолюминесценции ионов эрбия, а также, начиная с доз Phi<= 5· 1016 cm-2, существенное снижение времени жизни фотолюминесценции по сравнению со случаем облучения пленок ионами гелия. Полученные результаты интерпретируются в рамках модели образования гидроксильных ОН-групп, являющихся эффективными каналами безызлучательной релаксации электронных возбуждений в исследуемом материале.
- Лазерные фосфатные стекла / Под ред. М.Е. Жаботинского. М.: Наука, 1980. 352 с
- Ермолаев В.Л., Бодунов Е.Н., Свешникова Е.Б., Шахвердов Т.А. // Безызлучательный перенос энергии электронного возбуждения. М.: Наука, 1977. 311 с
- Данилин Б.С. // Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок. М.: Энергоатомиздат, 1989. 327 с
- Yan Y. // Ph. D. Thesis. Technical University of Eindhoven, 1997. 101 p
- Вильчинская Н.Н., Дмитрюк А.В., Игнатьев Е.Г. и др. // ДАН СССР. 1984. Т. 274. N 5. С. 1117--1119
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
