Структура термомиграционных каналов в кремнии
Бучин Э.Ю.1, Денисенко Ю.И.1, Симакин С.Г.1
1Институт микроэлектроники и информатики РАН, Ярославль
Email: imi.buchin@rambler.ru
Поступила в редакцию: 3 сентября 2003 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2004 г.
Исследованы глубокие и сквозные каналы, сформированные в кремнии n-типа в процессе термомиграции тонких дискретных алюминиевых зон. В экспериментах использовалась техника избирательного химического травления кремния и ВИМС - анализ распределения атомов примеси. Обнаружено наличие двух обособленных оболочек по наружному контуру каналов.
- Pfann W.G. // J. Metals. 1955. V. 7. N 9. P. 961--964
- Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Попов В.П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1987. 233 с
- Рудаков В.И., Коледов Л.А. // Науч.-техн. сб. "Зарубежная электронная техника". М.: ЦНИИ "Электроника", 1993. N 3--4. С. 27--60; N 5--6. С. 25--40
- Мочалов В.Б., Рудаков В.И. // Приборы и техника эксперимента. 1996. N 2. С. 155--157
- Редько Ф.Ф., Изидинов С.О. // Электрохимия. 1966. Т. 2. N 10. С. 1128; 1966. Т. 2. N 11. С. 1282; 1976. Т. 12. N 9. С. 1494
- Вольф Г.А., Млавский А.И. Рост кристаллов. Т. I / Пер. с англ. М.: Мир, 1977. С. 244--296
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук