Влияние отжига на электролюминесценцию слоев SiO2 с избыточным кремнием
Барабан А.П.1, Егоров Д.В.1, Петров Ю.В.1, Милоглядова Л.В.1
1НИИ физики С.-Петербургского государственного университета
Поступила в редакцию: 25 июля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 января 2004 г.
Изучена электролюминесценция структур Si-SiO2, содержащих избыточный кремний в окисном слое, введенный путем ионной имплантации (ИИ) с энергией 150 keV и дозами 5· 1016-3· 1017 cm-2. Результатом ИИ было появление интенсивной полосы ЭЛ 2.7 eV. Постимплантационный отжиг приводил к уменьшению интенсивности данной полосы и к появлению полосы ЭЛ 1.6 eV, которая связывалась с излучательными переходами на границе нанокластеры кремния/SiO2.
- Canham L.T. // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. P. 1046
- Richter A., Steiner P., Kozlowski F., Lang W. // IEEE Electron. Device Lett. 1991. V. 12. P. 691
- Canham L.T., Leong W.Y., Beale M.I.J., Cox T.I., Taylor L. // Appl. Phys. Lett. 1992. V. 61. P. 2563--2565
- Franzo G., Irrera A., Moreira E.C., Miritello M. et al. // Appl. Phys. A. 2002. V. 74. P. 1--5
- Song H.Z., Bao X.M., Li N.S., Zhang J.Y. // J. Appl. Phys. 1997. V. 82. N 8. P. 4028--4032
- Garrido B., Lopez M., Gonzales O. et al. // Appl. Phys. Let. 2000. V. 77. N 20. P. 1--3
- Барабан А.П., Булавинов В.В., Коноров П.П. Электроника слоев SiO2 на кремнии. Л.: Изд. ЛГУ, 1988. 304 с
- Барабан А.П., Климов И.В., Теношвили Н.И., Усеинов Э.Д., Булавинов В.В. // Письма ЖТФ. 1989. Т. 15. В. 17. С. 44--46
- Барабан А.П., Милоглядова Л.В. // ЖТФ. 2002. Т. 72. В. 5. С. 56--60
- Скуя Л.Н., Стрелецкий А.Н., Пакович А.Б. // Физика и химия стекла. 1988. Т. 14. С. 481--489
- Барабан А.П., Коноров П.П., Малявка Л.В., Трошихин А.Г. // ЖТФ. 2000. Т. 70. В. 8. С. 87--90
- White C.T., Ngai K.L. // J. Vacuum Sci. and Techn. 1979. V. 16. N 5. P. 1412
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук