Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Получение эпитаксиальных слоев твердых растворов (Si2)1-x(GaAs)x на Si-подложках и исследование их электрических и фотоэлектрических характеристик
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан 
Email: atvi@physic.uzsci.net
Поступила в редакцию: 2 июня 2003 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.
Методом жидкофазной эпитаксии из ограниченного объема с горизонтально расположенными поликристаллическими кремниевыми подложками из оловянного раствора-расплава были выращены эпитаксиальные слои (Si2)1-x(GaAs)x (0=< x=< 0.85) на кремниевых подложках. Рост слоев осуществлялся в температурном интервале 850-700oC из оловянного раствора-расплава. Исследование кристаллического совершенства полученных слоев показало, что качества и параметры эпитаксиальных слоев зависят от выбора условий роста. Полученные нами Si-(Si2)1-x(GaAs)x-гетероструктуры могут быть использованы в приборах, используемых в области фотоэнергетики и микроэлектроники, связанных с применением дорогостоящих GaAs-подложек. Приведены экспериментальные данные по исследованию электрофизических и фотоэлектрических характеристик Si-(Si2)1-x(GaAs)x-структур.
- Алфёров Ж.И., Жингарев М.З., Конников С.Г. и др. // ФТП. 1982. Т. 16. N 5. С. 831--839
- Алфёров Ж.И., Вартанян Р.С., Корольков В.И. и др. // ФТП. 1982. Т. 16. N 5. С. 887--890
- Саидов А.С., Саидов М.С., Кошчанов Э.А. Жидкостная эпитаксия компенсированных слоев арсенида галлия и твердых растворов на его основе. Ташкент: Фан, 1986. С. 129
- Андреев В.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Сов. радио, 1975. С. 328
- Хансен М., Андерко К. Структуры двойных сплавов. Т. I, II. М.: Металлургиздат, 1962. С. 1487
- Сапаев Б., Саидов А.С., Давлатов У.Т. // Вестник ГулГу. 2001. N 1. С. 50--54
- Мамиканян С.В. Аппаратура и методы флуоресцентного рентгено-радиометрического анализа. М.: Атомиздат, 1976. С. 279
- Вегман Е.Ф., Руфанов Ю.Г., Федорченко И.Н. Кристаллография, минералогия, петрография и рентгенография. М.: Металлургия, 1990. С. 264
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
