"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Получение эпитаксиальных слоев твердых растворов (Si2)1-x(GaAs)x на Si-подложках и исследование их электрических и фотоэлектрических характеристик
Сапаев Б.1, Саидов А.С.1, Заверюхин Б.Н.1
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Email: atvi@physic.uzsci.net
Поступила в редакцию: 2 июня 2003 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

Методом жидкофазной эпитаксии из ограниченного объема с горизонтально расположенными поликристаллическими кремниевыми подложками из оловянного раствора-расплава были выращены эпитаксиальные слои (Si2)1-x(GaAs)x (0=< x=< 0.85) на кремниевых подложках. Рост слоев осуществлялся в температурном интервале 850-700oC из оловянного раствора-расплава. Исследование кристаллического совершенства полученных слоев показало, что качества и параметры эпитаксиальных слоев зависят от выбора условий роста. Полученные нами Si-(Si2)1-x(GaAs)x-гетероструктуры могут быть использованы в приборах, используемых в области фотоэнергетики и микроэлектроники, связанных с применением дорогостоящих GaAs-подложек. Приведены экспериментальные данные по исследованию электрофизических и фотоэлектрических характеристик Si-(Si2)1-x(GaAs)x-структур.
  1. Алфёров Ж.И., Жингарев М.З., Конников С.Г. и др. // ФТП. 1982. Т. 16. N 5. С. 831--839
  2. Алфёров Ж.И., Вартанян Р.С., Корольков В.И. и др. // ФТП. 1982. Т. 16. N 5. С. 887--890
  3. Саидов А.С., Саидов М.С., Кошчанов Э.А. Жидкостная эпитаксия компенсированных слоев арсенида галлия и твердых растворов на его основе. Ташкент: Фан, 1986. С. 129
  4. Андреев В.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Сов. радио, 1975. С. 328
  5. Хансен М., Андерко К. Структуры двойных сплавов. Т. I, II. М.: Металлургиздат, 1962. С. 1487
  6. Сапаев Б., Саидов А.С., Давлатов У.Т. // Вестник ГулГу. 2001. N 1. С. 50--54
  7. Мамиканян С.В. Аппаратура и методы флуоресцентного рентгено-радиометрического анализа. М.: Атомиздат, 1976. С. 279
  8. Вегман Е.Ф., Руфанов Ю.Г., Федорченко И.Н. Кристаллография, минералогия, петрография и рентгенография. М.: Металлургия, 1990. С. 264

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.