"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние объемного заряда на работу мощного полупроводникового прерывателя тока
Рукин С.Н.1, Цыранов С.Н.1
1Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург, Россия
Email: rukin@iep.uran.ru
Поступила в редакцию: 11 июня 2003 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

Разработана физико-математическая модель работы мощного полупроводникового прерывателя тока (SOS-диода), учитывающая влияние объемного заряда. На основе модели исследован процесс обрыва тока в полупроводниковой структуре SOS-диода. Показано, что, как и в моделях, в которых используется квазинейтральное приближение, процесс обрыва тока связан с образованием областей сильного поля в высоколегированных областях структуры. Установлено, что объемный заряд уменьшает роль процессов лавинного размножения и, как следствие, обеспечивает более высокие коммутационные характеристики диода.
  • Рукин С.Н. // ПТЭ. 1999. N 4. С. 5--36
  • Дарзнек С.А., Любутин С.К., Рукин С.Н. и др. // Электротехника. 1999. N 4. С. 20--28
  • Дарзнек С.А., Месяц Г.А., Рукин С.Н. // ЖТФ. 1997. Т. 67. В. 10. С. 64--70
  • Дарзнек С.А., Рукин С.Н., Цыранов С.Н. // ЖТФ. 2000. Т. 70. В. 4. С. 56--62
  • Рукин С.Н., Цыранов С.Н. // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. В. 18. С. 41--46
  • Пономарев А.В., Рукин С.Н., Цыранов С.Н. // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. В. 20. С. 29--34
  • Scharfetter D.L., Gummel H.K. // IEEE Trans. Electron Devices. 1969. V. ED-16. N1. P. 64--77
  • Benda H., Spenke E. // Proc. IEEE. 1967. V. 55. N 8. P. 1331--1354.
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.