"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Получение сильнокомпенсированного InAs методом облучения протонами
Зотова Н.В.1, Карандашев С.А.1, Матвеев Б.А.1, Ременный М.А.1, Стусь Н.М.1, Воронова Н.А.1, Гусинский Г.М.1, Найденов В.О.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: bmat@iropt3.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 19 июня 2003 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

При облучении протонами нелегированного n-InAs получен компенсированный материал со степенью компенсации K~ 0.6. Подобран режим протонного облучения, обеспечивающий равномерное распределение радиационных дефектов по толщине полупроводниковой пластины. Концентрация свободных электронов облученного образца достигала 1· 1018 cm-3, что соответствовало закреплению уровня Ферми в области разрешенных состояний зоны проводимости при значении волнового вектора kappa=0 в отличие от других соединений AIIIBV, в которых уровень Ферми при введении радиационных дефектов расположен в середине запрещенной зоны. Таким образом, подтверждена модель, предложенная в [1].
  • Брудный В.Н., Колин Н.Г., Потапов А.И. // ФТП. 2003. Т. 37. C. 408
  • Колин Н.Г., Освенский В.Б., Рытова Н.С., Юрова Е.С. // ФТП. 1987. Т. 21. С. 521
  • Brudnyi V.N., Vorobiev S.A., Tsoi A.A. // Phys. St. Sol. (a). 1982. V. 72. P. 529
  • Баранов А.Н., Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Сиповская М.А., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. // ФТП. 1993. Т. 27. С. 421
  • Аллаберов О.А., Зотова Н.В., Наследов Д.Н., Неуймина Л.Д. // ФТП. 1970. Т. 4. С. 1936
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.