Вышедшие номера
Получение сильнокомпенсированного InAs методом облучения протонами
Зотова Н.В.1, Карандашев С.А.1, Матвеев Б.А.1, Ременный М.А.1, Стусь Н.М.1, Воронова Н.А.1, Гусинский Г.М.1, Найденов В.О.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: bmat@iropt3.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 19 июня 2003 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

При облучении протонами нелегированного n-InAs получен компенсированный материал со степенью компенсации K~ 0.6. Подобран режим протонного облучения, обеспечивающий равномерное распределение радиационных дефектов по толщине полупроводниковой пластины. Концентрация свободных электронов облученного образца достигала 1· 1018 cm-3, что соответствовало закреплению уровня Ферми в области разрешенных состояний зоны проводимости при значении волнового вектора kappa=0 в отличие от других соединений AIIIBV, в которых уровень Ферми при введении радиационных дефектов расположен в середине запрещенной зоны. Таким образом, подтверждена модель, предложенная в [1].