При облучении протонами нелегированного n-InAs получен компенсированный материал со степенью компенсации K~ 0.6. Подобран режим протонного облучения, обеспечивающий равномерное распределение радиационных дефектов по толщине полупроводниковой пластины. Концентрация свободных электронов облученного образца достигала 1· 10¹⁸ cm^-3, что соответствовало закреплению уровня Ферми в области разрешенных состояний зоны проводимости при значении волнового вектора kappa=0 в отличие от других соединений A^IIIB^V, в которых уровень Ферми при введении радиационных дефектов расположен в середине запрещенной зоны. Таким образом, подтверждена модель, предложенная в [1].

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.