Отработана технология создания однородных по составу пленок на основе фуллеренсодержащих композитных материалов C₆₀-CdTe (-CdSe). Морфология поверхности исходных пленок имеет шероховатость порядка 150 nm. Отжиг в вакууме 10^-5 Torr в течение 3 h показал термостабильность пленок состава C₆₀-CdSe вплоть до T=180^oC, в то время как на поверхности пленки состава (C₆₀)_1-x(CdTe)_x, при x<0.5, наблюдается появление полупроводниковых кластеров порядка 500 nm. Плотность и размер кластеров растут с увеличением содержания полупроводника в исходном композитном порошке. В спектре фотолюминесценции пленки состава (C₆₀)_1-x(CdTe)_x, при x=0.5, начинает доминировать линия 730 nm, что говорит о существенной модификации структуры пленки под воздействием постростового отжига. Показана возможность создания методом прямой электронной литографии композитных фуллеренсодержащих сетчатых наноструктур с разрешением до 250 nm.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.