"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Композитные фуллеренсодержащие наноструктуры C60-CdTe (-CdSe)
Когновицкий C.O.1, Нащекин А.В.1, Соколов Р.В.1, Сошников И.П.1, Конников С.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: nashchekin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 24 декабря 2002 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2003 г.

Отработана технология создания однородных по составу пленок на основе фуллеренсодержащих композитных материалов C60-CdTe (-CdSe). Морфология поверхности исходных пленок имеет шероховатость порядка 150 nm. Отжиг в вакууме 10-5 Torr в течение 3 h показал термостабильность пленок состава C60-CdSe вплоть до T=180oC, в то время как на поверхности пленки состава (C60)1-x(CdTe)x, при x<0.5, наблюдается появление полупроводниковых кластеров порядка 500 nm. Плотность и размер кластеров растут с увеличением содержания полупроводника в исходном композитном порошке. В спектре фотолюминесценции пленки состава (C60)1-x(CdTe)x, при x=0.5, начинает доминировать линия 730 nm, что говорит о существенной модификации структуры пленки под воздействием постростового отжига. Показана возможность создания методом прямой электронной литографии композитных фуллеренсодержащих сетчатых наноструктур с разрешением до 250 nm.
  • Tada T., Kanayama T. // Jpn. Appl. Phys. 1996. V. 35. P. L63--L65
  • Matsutani A., Koyama F., Iga K. // Jpn. J. Appl. Phys. 1998. V. 37. P. 4211--4212
  • Gaevski M.E., Kognovitskii S.O., Konnikov S.G., Nashchekin A.V. et al. // Nanotechnology. 2000. N 11. P. 270--273
  • Nashchekin A.V., Gaevskii M.E., Kognovitskii S.O., Soshnikov I.P., Zamoryanskaya M.V. // Inst. Phys. Conf. Ser. 2001. N 169. P. 119--122
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.