"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Диффузия магния из подложек пористого карбида кремния при автолегировании эпитаксиальных слоев нитрида галлия
Мынбаева М.Г.1, Лаврентьев А.А.1, Фомин А.В.1, Мынбаев К.Д.1, Лебедев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mgm@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 10 декабря 2002 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2003 г.

Исследована диффузия магния при автолегировании эпитаксиальных слоев нитрида галлия из подложек карбида кремния. Эффект автолегирования зафиксирован в случае использования подложек из пористого карбида кремния, полученного поверхностной анодизацией пластин 6H--SiC. Показано, что послеростовой отжиг позволяет контролировать распределение магния в слоях. Факт легирования подтвержден измерениями фотолюминесценции слоев при 77 K.
  1. Sheu J.K., Chi G.C. // J. Phys: Condens. Matter. 2002. V. 14. P. R657--R702
  2. Kamp M. // Optical and Quantum Electronics. 2000. V. 32. P. 227--248
  3. Jerier P., Dutartre D. // J. Electrochem. Soc. 1999. V. 146. P. 331--335
  4. Handy Е.М., Rao M.V., Jones K.A. et al. // J. Appl. Phys. 1999. V. 86. P. 746--751
  5. Мынбаева М.Г., Лаврентьев А.В., Кузнецов А.Н. и др. // ФТП. 2003. Т. 37 (5). С. 612--615
  6. Mynbaeva M., Titkov A., Kryganovskii A. et al. // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1999. V. 4. P. 14
  7. Mynbaeva M., Tsvetkov D. // Inst. Phys. Conf. Ser. 1997. V. 155. P. 365--367
  8. Mel'nik Yu., Nikitina I., Zubrilov A. et al. // Inst. Phys. Conf. 1995. V. 142. P. 863--866
  9. Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. М., 1988. 574 с
  10. Pan C.J., Chi G.C. // Sol.-State Electr. 1999. V. 43. P. 621--623

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.