Виктор Михайлович Устинов, 1958 года рождения, член-корреспондент РАН, доктор физико-математических наук, директор ФГБУН «НТЦ Микроэлектроники» и заведующий лабораторией физики полупроводниковых гетероструктур ФТИ им. А.Ф. Иоффе, специалист в области физики и технологии полупроводниковых наногетероструктур и приборов на их основе, автор боле 850 научных работ и патентов на изобретения.
В 1981 году окончил факультет электронной техники Ленинградского электротехнического института (ныне СПбГЭТУ «ЛЭТИ»). После окончания университета устроился на работу в Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе. В 1986 году защитил кандидатскую диссертацию по теме «Электрофизические свойства арсенида галлия, арсенида галлия алюминия и гетероструктур с двумерным электронным газом на их основе, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии». В 1999 году присвоена степень доктора наук за работу «Гетероструктуры с квантовыми точками (получение, свойства, лазеры)». С 2004 по 2008 годы занимал должность заместителя председателя по науке Санкт-Петербургского физико-технологического научно-образовательного центра РАН. В 2006 году избран членом-корреспондентом РАН.
Основные научные результаты В.М. Устинова:
В.М. Устинов - главный редактор журнала «Письма в ЖТФ», член научного совета РАН «Квантовые технологии», лауреат Государственной Премии РФ в области науки и техники 2001 года, а также премии Правительства Санкт-Петербурга «за выдающиеся научные результаты в области науки и техники в 2021 году» в номинации «нанотехнологии — премия им. Ж. И. Алферова» — за цикл работ «Полупроводниковые наногетероструктуры для СВЧ электроники».
В.М. Устинов ведет большую научно-организационную и преподавательскую работу, являясь по совместительству заведующим кафедрой оптоэлектроники СПбГЭТУ «ЛЭТИ». Под его руководством защищены 5 кандидатских диссертаций.