Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2026, выпуск 9 » Статья стр. 7
<<<>>>
Рост кристаллов оксида галлия методом свободной кристаллизации в холодном тигле
Николаев В.И.1,2, Поздняк И.В.3, Печенков А.Ю.3, Чикиряка А.В.1, Тимашов Р.Б.1, Щеглов М.П.1, Крымов В.М.1, Шапенков С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: chikiryaka@mail.ru
Поступила в редакцию: 9 декабря 2025 г.
В окончательной редакции: 29 декабря 2025 г.
Принята к печати: 12 января 2026 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2026 г.
PDF версия
Исследована возможность получения кристаллов оксида галлия методом свободной кристаллизации в холодном тигле. Представлены сведения об особенностях гарнисажной плавки оксида галлия. Получены первые монокристаллы, проведена их характеризация. Ключевые слова: оксид галлия, рост кристаллов, холодный тигель, свободная кристаллизация.
  1. S.I. Stepanov, V.I. Nikolaev, V.E. Bougrov, A.E. Romanov, Rev. Adv. Mater. Sci., 44 (1), 63 (2016). http://www.ipme.ru/e-journals/RAMS/no_14416/06_14416_stepanov.pdf
  2. S.J. Pearton, J. Yang, P.H. Cary, F. Ren, J. Kim, M.J. Tadjer, M.A. Mastro, Appl. Phys. Rev., 5 (1), 011301 (2018). DOI: 10.1063/1.5006941
  3. Z. Galaska, R. Uecker, D. Klimm, K. Irmscher, M. Naumann, M. Pietsch, A. Kwasniewski, R. Bertram, S. Gansschow, M. Bickermann, ECS J. Solid State Sci. Technol., 6 (2), Q3007 (2017). DOI: 10.1149/2.0021702jss
  4. A. Kuramata, K. Koshi, S. Watanabe, Y. Yamaoka, T. Masui, S. Yamakoshi, Jpn. J. Appl. Phys., 55 (12), 1202A2 (2016). DOI: 10.7567/JJAP.55.1202A2
  5. X. Dong, W. Mu, P. Wang, Y. Dong, H. Zhao, B. Chen, Z. Jia, X. Tao, J. Semicond., 46 (6), 062501 (2025). DOI: 10.1088/1674-4926/24110029
  6. N. Xia, Y. Liu, D. Wu, L. Li, K. Ma, J. Wang, H. Zhang, D. Yang, J. Alloys Compd., 935, 168036 (2023). DOI: 10.1016/j.jallcom.2022.168036
  7. Z. Galazka, S. Ganschow, P. Seyidov, K. Irmscher, M. Pietsch, T.-S. Chou, S.B. Anooz, R. Grueneberg, A. Popp, A. Dittmar, A. Kwasniewski, M. Suendermann, D. Klimm, T. Straubinger, T. Schroeder, M. Bickermann, Appl. Phys. Lett., 120 (15), 152101 (2022). DOI: 10.1063/5.0086996
  8. D. Rot, J. Kozeny, S. Jirinec, J. Jirinec, A. Podhrazky, I. Poznyak, in 2017 18th Int. Scientific Conf. on electric power engineering (EPE) (IEEE, 2017), p. 1--4. DOI: 10.1109/EPE.2017.7967281
  9. A. Yoshikawa, V. Kochurikhin, T. Tomida, I. Takahashi, K. Kamada, Y. Shoji, K. Kakimoto, Sci. Rep., 14, 14881 (2024). DOI: 10.1038/s41598-024-65420-7
  10. X. Gao, Z. Jin, D. Wu, J. He, Y. Yan, Y. Liu, K. Ma, N. Xia, H. Zhang, D. Yang, Epitaxy-Ready 6-Inch (100) B-Ga2O3 Wafers Grown by a Casting Method, preprint (SSRN, 2025). DOI: 10.2139/ssrn.5356413
  11. V.I. Nikolaev, A.Y. Polyakov, V.M. Krymov, S.V. Shapenkov, P.N. Butenko, E.B. Yakimov, A.A. Vasilev, I.V. Shchemerov, A.V. Chernykh, N.R. Matros, L.A. Alexanyan, A.I. Kochkova, S.J. Pearton, ECS J. Solid State Sci. Technol., 13, 015003 (2024). DOI: 10.1149/2162-8777/ad1bda
  12. V.I. Nikolaev, S.V. Shapenkov, R.B. Timashov, A.I. Stepanov, M.P. Scheglov, A.V. Chikiryaka, A.Y. Polyakov, S.J. Pearton, J. Alloys Compd., 994, 174687 (2024). DOI: 10.1016/j.jallcom.2024.174687

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme