Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2026, выпуск 8 » Статья стр. 26
<<<>>>
Намагниченность карбина, сформированного на 3d-магнетиках
Давыдов С.Ю.1, Посредник О.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: sergei_davydov@mail.ru, lesya1976@mail.ru
Поступила в редакцию: 5 ноября 2025 г.
В окончательной редакции: 13 декабря 2025 г.
Принята к печати: 13 декабря 2025 г.
Выставление онлайн: 10 марта 2026 г.
PDF версия
В рамках адсорбционного подхода к описанию электронной структуры эпитаксиальных слоев получены аналитические выражения для намагниченности кумулена и полиина, сформированных на магнитной подложке. Для описания плотности состояний спиновых σ-подзон Fe, Co и Ni использована модель Фриделя. Показано, что спиновый момент адатомов углерода карбина пропорционален взаимному смещению σ-подзон подложки. Ключевые слова: кумулен, полиин, числа заполнения, магнитный момент. DOI: 10.21883/0000000000
  1. F. Banhart, J. Nanotechnol., 6, 559 (2015). DOI: 10.3762/bjnano.6.58
  2. A. Kucherik, A. Osipov, V. Samushkin, R.R. Hartmann, A.V. Povolotsky, M.E. Portnoi, Phys. Rev. Lett., 132, 056902 (2024). DOI: 10.1103/PhysRevLett.132.056902
  3. R.A. Ng, A. Kucherik, M.E. Portnoi, R.R. Hartmann, Small Struct., 6, e202500266 (2025). DOI: 10.1002/sstr.202500266
  4. С.Ю. Давыдов, ФТП, 53 (7), 971 (2019). DOI: 10.21883/FTP.2019.07.47876.9036 [S.Yu. Davydov, Semiconductors, 53, 954 (2019). DOI: 10.1134/S1063782619070078]
  5. S.E. Muller, A.K. Nair, Comput. Mater. Sci., 159, 187 (2019). DOI: 10.1016/j.commatsci.2018.12.006
  6. G. Yang, Mater. Sci. Eng. B, 151, 100692 (2022). DOI: 10.1016/j.mser.2022.100692
  7. S. Kutrovskaya, A. Osipov, S. Baryshev, A. Zasedatelev, V. Samyshkin, S. Demirchyan, O. Pulci, D. Grassano, L. Gontrani, R.R. Hartmann, M.E. Portnoi, A. Kucherik, P.G. Lagoudakis, A. Kavokin, Nano Lett., 20, 6502 (2020). DOI: 10.1021/acs.nanolett.0c02244
  8. R.R. Hartmann, S. Kutrovskaya, A. Kucherik, A.V. Kavokin, M.E. Portnoi, Phys. Rev. Res., 3, 033202 (2021). DOI: 10.1103/PhysRevResearch.3.033202
  9. О.М. Браун, В.К. Медведев, УФН, 157 (4), 631 (1989). DOI: 10.3367/UFNr.0157.198904c.0631 [O.M. Braun, V.K. Medvedev, Sov. Phys. Usp., 32, 328 (1989). DOI: 10.1070/PU1989v032n04ABEH002700]
  10. С.Ю. Давыдов, ФТТ, 66 (5), 723 (2024). DOI: 10.61011/FTT.2024.05.58086.16 [S.Yu. Davydov, Phys. Solid State, 66, 701 (2024). DOI: 10.61011/PSS.2024.05.58500.16]
  11. W.P. Su, J.R. Schrieffer, A.J. Heeger, Phys. Rev. B, 22, 2099 (1980). DOI: 10.1103/PhysRevB.22.2099
  12. A.G. Heeger, S. Kivelson, J.R. Schrieffer, W.-P. Su, Rev. Mod. Phys., 60, 781 (1988). DOI: 10.1103/RevModPhys.60.781
  13. С.Ю. Давыдов, ФТТ, 58 (4), 779 (2016). [S.Yu. Davydov, Phys. Solid State, 58, 804 (2016). DOI: 10.1134/S1063783416040041]
  14. F.D.M. Haldane, P.W. Anderson, Phys. Rev. B, 13, 2553 (1976). DOI: 10.1103/PhysRevB.13.2553
  15. С.Ю. Давыдов, О.В. Посредник, Письма в ЖТФ, 47 (11), 37 (2021). DOI: 10.21883/PJTF.2021.11.51006.18650 [S.Yu. Davydov, O.V. Posrednik, Tech. Phys. Lett., 47, 550 (2021). DOI: 10.1134/S1063785021060079]
  16. У. Харрисон, Электронная структура и свойства твердых тел (Мир, М., 1983), т. 2, гл. 20. [W.A. Harrison, Electronic structure and the properties of solids (Freeman, San Francisco, 1980).]
  17. В.Ю. Ирхин, Ю.П. Ирхин, Электронная структура, физические свойства и корреляционные эффекты в d- и f-металлах и их соединениях (УрО РАН, Екатеринбург, 2004), гл. 2
  18. Физические величины, под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова (Энергоатомиздат, М., 1991)
  19. С.Ю. Давыдов, ФТП, 46 (2), 204 (2012). [S.Yu. Davydov, Semiconductors, 46, 193 (2012). DOI: 10.1134/S1063782612020066]
  20. Q. Yuan, F. Ding, Nanoscale, 6, 12727 (2014). DOI: 10.1039/c4nr03757j
  21. R. Tomov, M. Aleksandrova, Molecules, 28, 6409 (2023). DOI: 10.3390/molecules28176409
  22. M.Y. Kim, S.J. Park, G.-Y. Kim, S.-Y. Choi, H. Jin, Energy Environ. Sci., 14, 3480 (2021). DOI: DOI: 10.1039/d1ee00667c
  23. Y. Ni, G. Deng, J. Li, H. Hua, N. Liu, ACS Omega, 6, 15308 (2021). DOI: 10.1021/acsomega.1c01640
  24. L. Xiong, P. Gong, Z. Peng, Z. Yu, Phys. Chem. Chem. Phys., 23, 23667 (2021). DOI: 10.1039/D1CP03652A 
  25. X. Hu, Y. Ominato, M. Matsuo, arXiv: 2409.18456
  26. M. Sedrpooshan, C. Bulbucan, P. Ternero, P. Maltoni, C. Preger, S. Finizio, B. Watts, D. Peddis, A.M. Burke, M.E. Messing, R. Westerstrom, Nanoscale, 15, 18500 (2023). DOI: 10.1039/d3nr03878e
  27. E. Park, J.P. Philbin, H. Chi, J.J. Sanchez, C. Occhialini, G. Varnavides, J.B. Curtis, Z. Song, J. Klein, J.D. Thomsen, M.-G. Han, A.C. Foucher, K. Mosina, D. Kumawat, N. Gonzalez-Yepez, Y. Zhu, Z. Sofer, R. Comin, J.S. Moodera, P. Narang, F.M. Ross, Adv. Mater., 36, 2401534 (2024). DOI: 10.1002/adma.202401534
  28. H. Jin, M. Liu, L. Wang, W. You, K. Pei, H.-W. Cheng, R. Che, Natl. Sci. Rev., 12, nwae420 (2025). DOI: 10.1093/nsr/nwae420

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme