Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2026, выпуск 7 » Статья стр. 48
<<<>>>
Буферные структуры GaAs/Si, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
Слипченко С.О.1, Шамахов В.В.1, Кондратов М.И.1, Фомин Е.В.1, Николаев Д.Н.1, Мясоедов А.В.1, Берт Н.А.1, Пихтин Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: serghpl@mail.ioffe.ru, Shamakhov@mail.ioffe.ru, Mikondratov@mail.ioffe.ru, Evfomin@mail.ioffe.ru, Dim@mail.ioffe.ru, A.V.Myasoedov@mail.ioffe.ru, Nikolay.Bert@mail.ioffe.ru, Nike@hpld.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 1 ноября 2025 г.
В окончательной редакции: 8 декабря 2025 г.
Принята к печати: 9 декабря 2025 г.
Выставление онлайн: 11 февраля 2026 г.
PDF версия
Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложках Si выращены буферные слои GaAs толщиной от 1 до 5.3 μm. Показано, что плотность прорастающих дислокаций уменьшается до 4· 107 cm-2 с увеличением толщины буферного слоя GaAs до 5.3 μm. Среднеквадратичная шероховатость поверхности достигает наименьшего значения 2.2 nm при толщине буферного слоя GaAs 1.6 μm. Ключевые слова: газофазная эпитаксия, буферные слои, подложка Si.
  1. J.C. Norman, D. Jung, Y. Wan, J.E. Bowers, APL Photon., 3 (3), 030901 (2018). DOI: 10.1063/1.5021345
  2. J. Yang, M. Tang, S. Chen, H. Liu, Light Sci. Appl., 12 (1), 16 (2023). DOI: 10.1038/s41377-022-01006-0
  3. Y. Han, H. Park, J. Bowers, K.M. Lau, Adv. Opt. Photon., 14 (3), 404 (2022). DOI: 10.1364/AOP.455976
  4. С.О. Слипченко, Д.А. Веселов, В.В. Золотарев, А.В. Лютецкий, А.А. Подоскин, З.Н. Соколова, В.В. Шамахов, И.С. Шашкин, П.С. Копьев, Н.А. Пихтин, Квантовая электроника, 52 (12), 1152 (2022). [S.O. Slipchenko, D.A. Veselov, V.V. Zolotarev, A.V. Lyutetskii, A.A. Podoskin, Z.N. Sokolova, V.V. Shamakhov, I.S. Shashkin, P.S. Kop'ev, N.A. Pikhtin, Bull. Lebedev Phys. Inst., 50 (4), 494 (2023). DOI: 10.3103/S1068335623160108]
  5. Н.А. Волков, А.Ю. Андреев, И.В. Яроцкая, Ю.Л. Рябоштан, В.Н. Светогоров, М.А. Ладугин, А.А. Падалица, А.А. Мармалюк, С.О. Слипченко, А.В. Лютецкий, Д.А. Веселов, Н.А. Пихтин, Квантовая электроника, 51 (2), 133 (2021). [N.A. Volkov, A.Yu. Andreev, I.V. Yarotskaya, Yu.L. Ryaboshtan, V.N. Svetogorov, M.A. Ladugin, A.A. Padalitsa, A.A. Marmalyuk, S.O. Slipchenko, A.V. Lyutetskii, D.A. Veselov, N.A. Pikhtin, Quantum Electron., 51 (2), 133 (2021). DOI: 10.1070/QEL17480]
  6. J.-S. Park, H. Deng, S. Pan, H. Wang, Y. Wang, J. Yuan, X. Zhang, H. Zeng, H. Jia, M. Dang, J. Phys. D, 58 (18), 185101 (2025). DOI: 10.1088/1361-6463/adc275
  7. A.Y. Liu, J. Bowers, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 24 (6), 6000412 (2018). DOI: 10.1109/JSTQE.2018.2854542
  8. C. Shang, Y. Wan, J. Selvidge, E. Hughes, R. Herrick, K. Mukherjee, J. Duan, F. Grillot, W.W. Chow, J.E. Bowers, ACS Photon., 8 (9), 2555 (2021). DOI: 10.1021/acsphotonics.1c00707
  9. Y. Du, B. Xu, G. Wang, Y. Miao, B. Li, Z. Kong, Y. Dong, W. Wang, H.H. Radamson, Nanomaterials, 12 (5), 741 (2022). DOI: 10.3390/nano12050741
  10. J. Yang, Z. Liu, P. Jurczak, M. Tang, K. Li, S. Pan, A. Sanchez, R. Beanland, J.-C. Zhang, H. Wang, J. Phys. D, 54 (3), 035103 (2021). DOI: 10.1088/1361-6463/abbb49
  11. J. Yang, P. Jurczak, F. Cui, K. Li, M. Tang, L. Billiald, R. Beanland, A.M. Sanchez, H. Liu, J. Cryst. Growth, 514, 109 (2019). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.02.044
  12. K. Ishida, MRS Online Proc. Library, 91, 133 (1987). DOI: 10.1557/PROC-91-133
  13. Y. Wang, Q. Wang, Z. Jia, X. Li, C. Deng, X. Ren, S. Cai, Y. Huang, J. Vac. Sci. Technol. B, 31 (5), 051211 (2013). DOI: 10.1116/1.4820914
  14. D. Jung, P.G. Callahan, B. Shin, K. Mukherjee, A.C. Gossard, J.E. Bowers, J. Appl. Phys., 122 (22), 225703 (2017). DOI: 10.1063/1.5001360
  15. C. Shang, J. Selvidge, E. Hughes, J.C. Norman, A.A. Taylor, A.C. Gossard, K. Mukherjee, J.E. Bowers, Phys. Status Solidi A, 218 (3), 2000402 (2020). DOI: 10.1002/pssa.202000402
  16. M. Tang, S. Chen, J. Wu, Q. Jiang, V.G. Dorogan, M. Benamara, Y.I. Mazur, G.J. Salamo, A. Seeds, H. Liu, Opt. Express, 22 (10), 11528 (2014). DOI: 10.1364/OE.22.011528
  17. M. Tang, S. Chen, J. Wu, Q. Jiang, K. Kennedy, P. Jurczak, M.Y. Liao, R. Beanland, A. Seeds, H.Y. Liu, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 22 (6), 50 (2016). DOI: 10.1109/JSTQE.2016.2551941
  18. M. Dang, H. Deng, S. Huo, R.R. Juluri, A.M. Sanchez, A.J. Seeds, H. Liu, M. Tang, J. Phys. D, 56 (40), 405108 (2023). DOI: 10.1088/1361-6463/ace36d

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme