Оптическая ширина запрещенной зоны литированного композита Si@O@Al
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Государственное задание Ярославского государственного университета им. П.Г. Демидова, FENZ-2024-0005
Рудый А.С.
1, Мироненко A.A.
1, Наумов В.В.
1, Курбатов С.В.
1, Чурилов А.Б.
1, Козлов Е.А.
1, Савенко О.В.
11Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, Ярославль, Россия

Email: rudy@uniyar.ac.ru, amironenko55@mail.ru, vvnau@rambler.ru, kurbatov-93@bk.ru, abchurilov@mail.ru, eakf@yandex.ru, savenko.oleg92@mail.ru
Поступила в редакцию: 26 августа 2025 г.
В окончательной редакции: 14 октября 2025 г.
Принята к печати: 22 октября 2025 г.
Выставление онлайн: 7 января 2026 г.
Приведены результаты измерения оптической ширины запрещенной зоны анодного композитного материала Si@O@Al:Lix (x=0, 5 и 9 at.%). По результатам измерения спектров поглощения тонких пленок Si@O@Al:Lix на кварцевой подложке построены графики Тауца и определены значения оптической ширины запрещенной зоны. Полученные значения Eg1=1.52 eV, Eg2=1.15 eV для x=0 at.%, Eg1=1.93 eV, Eg2=1.65 eV для x=5 at.% и Eg1=1.85 eV, Eg2=1.62 eV для x=9 at.% отнесены к переходам зона-зона и примесь-зона. Увеличение оптической ширины запрещенной зоны при увеличении x>0 объясняется эффектом Бурштейна-Мосса. Ключевые слова: анодный материал, вырожденный полупроводник, ширина запрещенной зоны, диаграмма Тауца.
- T.L. Kulova, A.A. Mironenko, A.M. Skundin, A.S. Rudy, V.V Naumov, D.E. Pukhov, Int. J. Electrochem. Sci., 11 (2), 1370 (2016). DOI: 10.1016/S1452-3981(23)15928-1
- A.A. Mironenko, I.S. Fedorov, A.S. Rudy, V.N. Andreev, D.Y. Gryzlov, T.L. Kulova, A.M. Skundin, Monatsh. Chem., 150 (10), 1753 (2019). DOI: 10.1007/s00706-019-02497-1
- A.P. Nugroho, N.H. Hawari, B. Prakoso, A.D. Refino, N. Yulianto, F. Iskandar, E. Kartini, E. Peiner, H.S. Wasisto, A. Sumboja, Nanomaterials, 11 (11), 3137 (2021). DOI: 10.3390/nano11113137
- A.D. Refino, N. Yulianto, I. Syamsu, A.P. Nugroho, N.H. Hawari, A. Syring, E. Kartini, F. Iskandar, T. Voss, A. Sumboja, E. Peiner, H.S. Wasisto, Sci. Rep., 11 (1), 19779 (2021). DOI: 10.1038/s41598-021-99173-4
- H. Li, Z. Wang, L. Chen, X. Huang, Adv. Mater., 21 (45), 4593 (2009). DOI: 10.1002/adma.200901710
- H. Li, H. Li, Y. Lai, Z. Yang, Q. Yang, Y. Liu, Z. Zheng, Y. Liu, Y. Sun, B. Zhong, Z. Wu, X. Guo, Adv. Energy Mater., 12 (7), 2102181 (2022). DOI: 10.1002/aenm.202102181
- А.С. Рудый, А.Б. Чурилов, А.А. Мироненко, В.В. Наумов, С.В. Курбатов, Е.А. Козлов, Письма в ЖТФ, 48 (17), 9 (2022). DOI: 10.21883/PJTF.2022.17.53279.19276 [A.S. Rudy, A.B. Churilov, A.A. Mironrenko, V.V. Naumov, S.V. Kurbatov, E.A. Kozlov, Tech. Phys. Lett., 48 (9), 7 (2022). DOI: 10.21883/TPL.2022.09.55072.19276]
- А.С. Рудый, А.А. Мироненко, В.В. Наумов, А.Б. Чурилов,С.В. Курбатов, Ю.С. Егорова, Е.А. Козлов, ЖТФ, 93 (9), 1329 (2023). DOI: 10.21883/JTF.2023.09.56220.120-23 [A.S. Rudy, A.A. Mironenko, V.V. Naumov, A.B. Churilov, S.V. Kurbatov, Yu.S. Egorova, E.A. Kozlov, Tech. Phys., 68 (9), 1235 (2023). DOI: 10.61011/TP.2023.09.57363.120-23]
- J. Tauc, R. Grigorovici, A. Vancu, Phys. Status Solidi B, 15 (2), 627 (1966). DOI: 10.1002/pssb.19660150224
- F.L. Marti nez, M. Toledano-Luque, J.J. Gandi a, J. Carabe, W. Bohne, J. Rohrich, E. Strub, I. Martil, J. Phys. D, 40 (17), 5256 (2007). DOI: 10.1088/0022-3727/40/17/037
- F.L. Marti nez, A. Prado, I. Martil, G. Gonzalez-Di az, B. Selle, I. Sieber, J. Appl. Phys., 86 (4), 2055 (1999). DOI: 10.1063/1.371008
- Amorphous and liquid semiconductors, ed. by J. Tauc (Springer, 2012)
- П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко, Оптика твердого тела и систем пониженной размерности (Физический факультет МГУ, М., 2009)
- T. Moss, Proc. Phys. Soc. B, 67 (10), 775 (1954). DOI: 10.1088/0370-1301/67/10/306
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.