Вышедшие номера
Оптическая ширина запрещенной зоны литированного композита Si@O@Al
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Государственное задание Ярославского государственного университета им. П.Г. Демидова, FENZ-2024-0005
Рудый А.С. 1, Мироненко A.A.1, Наумов В.В. 1, Курбатов С.В. 1, Чурилов А.Б. 1, Козлов Е.А. 1, Савенко О.В. 1
1Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, Ярославль, Россия
Email: rudy@uniyar.ac.ru, amironenko55@mail.ru, vvnau@rambler.ru, kurbatov-93@bk.ru, abchurilov@mail.ru, eakf@yandex.ru, savenko.oleg92@mail.ru
Поступила в редакцию: 26 августа 2025 г.
В окончательной редакции: 14 октября 2025 г.
Принята к печати: 22 октября 2025 г.
Выставление онлайн: 7 января 2026 г.

Приведены результаты измерения оптической ширины запрещенной зоны анодного композитного материала Si@O@Al:Lix (x=0, 5 и 9 at.%). По результатам измерения спектров поглощения тонких пленок Si@O@Al:Lix на кварцевой подложке построены графики Тауца и определены значения оптической ширины запрещенной зоны. Полученные значения Eg1=1.52 eV, Eg2=1.15 eV для x=0 at.%, Eg1=1.93 eV, Eg2=1.65 eV для x=5 at.% и Eg1=1.85 eV, Eg2=1.62 eV для x=9 at.% отнесены к переходам зона-зона и примесь-зона. Увеличение оптической ширины запрещенной зоны при увеличении x>0 объясняется эффектом Бурштейна-Мосса. Ключевые слова: анодный материал, вырожденный полупроводник, ширина запрещенной зоны, диаграмма Тауца.
  1. T.L. Kulova, A.A. Mironenko, A.M. Skundin, A.S. Rudy, V.V Naumov, D.E. Pukhov, Int. J. Electrochem. Sci., 11 (2), 1370 (2016). DOI: 10.1016/S1452-3981(23)15928-1
  2. A.A. Mironenko, I.S. Fedorov, A.S. Rudy, V.N. Andreev, D.Y. Gryzlov, T.L. Kulova, A.M. Skundin, Monatsh. Chem., 150 (10), 1753 (2019). DOI: 10.1007/s00706-019-02497-1
  3. A.P. Nugroho, N.H. Hawari, B. Prakoso, A.D. Refino, N. Yulianto, F. Iskandar, E. Kartini, E. Peiner, H.S. Wasisto, A. Sumboja, Nanomaterials, 11 (11), 3137 (2021). DOI: 10.3390/nano11113137
  4. A.D. Refino, N. Yulianto, I. Syamsu, A.P. Nugroho, N.H. Hawari, A. Syring, E. Kartini, F. Iskandar, T. Voss, A. Sumboja, E. Peiner, H.S. Wasisto, Sci. Rep., 11 (1), 19779 (2021). DOI: 10.1038/s41598-021-99173-4
  5. H. Li, Z. Wang, L. Chen, X. Huang, Adv. Mater., 21 (45), 4593 (2009). DOI: 10.1002/adma.200901710
  6. H. Li, H. Li, Y. Lai, Z. Yang, Q. Yang, Y. Liu, Z. Zheng, Y. Liu, Y. Sun, B. Zhong, Z. Wu, X. Guo, Adv. Energy Mater., 12 (7), 2102181 (2022). DOI: 10.1002/aenm.202102181
  7. А.С. Рудый, А.Б. Чурилов, А.А. Мироненко, В.В. Наумов, С.В. Курбатов, Е.А. Козлов, Письма в ЖТФ, 48 (17), 9 (2022). DOI: 10.21883/PJTF.2022.17.53279.19276 [A.S. Rudy, A.B. Churilov, A.A. Mironrenko, V.V. Naumov, S.V. Kurbatov, E.A. Kozlov, Tech. Phys. Lett., 48 (9), 7 (2022). DOI: 10.21883/TPL.2022.09.55072.19276]
  8. А.С. Рудый, А.А. Мироненко, В.В. Наумов, А.Б. Чурилов,С.В. Курбатов, Ю.С. Егорова, Е.А. Козлов, ЖТФ, 93 (9), 1329 (2023). DOI: 10.21883/JTF.2023.09.56220.120-23 [A.S. Rudy, A.A. Mironenko, V.V. Naumov, A.B. Churilov, S.V. Kurbatov, Yu.S. Egorova, E.A. Kozlov, Tech. Phys., 68 (9), 1235 (2023). DOI: 10.61011/TP.2023.09.57363.120-23]
  9. J. Tauc, R. Grigorovici, A. Vancu, Phys. Status Solidi B, 15 (2), 627 (1966). DOI: 10.1002/pssb.19660150224
  10. F.L. Marti nez, M. Toledano-Luque, J.J. Gandi a, J. Carabe, W. Bohne, J. Rohrich, E. Strub, I. Martil, J. Phys. D, 40 (17), 5256 (2007). DOI: 10.1088/0022-3727/40/17/037
  11. F.L. Marti nez, A. Prado, I. Martil, G. Gonzalez-Di az, B. Selle, I. Sieber, J. Appl. Phys., 86 (4), 2055 (1999). DOI: 10.1063/1.371008
  12. Amorphous and liquid semiconductors, ed. by J. Tauc (Springer, 2012)
  13. П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко, Оптика твердого тела и систем пониженной размерности (Физический факультет МГУ, М., 2009)
  14. T. Moss, Proc. Phys. Soc. B, 67 (10), 775 (1954). DOI: 10.1088/0370-1301/67/10/306

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.