Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2026, выпуск 4 » Статья стр. 25
<<<>>>
Полуполярный нитрид алюминия: эпитаксия объемного материала на наноструктурированной кремниевой подложке
Российский научный фонд, 24-22-00392
Бессолов В.Н.1, Компан M.E.1, Коненкова Е.В.1, Шарофидинов Ш.Ш.1, Соломникова А.В.2, Щеглов М.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: lena@triat.mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 16 сентября 2025 г.
В окончательной редакции: 16 сентября 2025 г.
Принята к печати: 15 октября 2025 г.
Выставление онлайн: 7 января 2026 г.
PDF версия
Эпитаксиальный рост объемных полуполярных AlN-слоев методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии на наноструктурированной подложке кремния (NP-Si(001)) исследован методами рентгеновской дифрактометрии, атомно-силовой микроскопии и комбинационного рассеяния света. Полуполярный слой эпитаксиально был выращен при высоких скоростях роста в атмосфере аргона, отделен от подложки, имел толщину 140 μm и полуширину кривой рентгеновской дифракции AlN(101 1) ωtheta=60 arcmin. Обнаружено, что объемный полуполярный слой AlN имеет меньшую величину растяжения после удаления подложки, чем слой на подложке NP-Si(100). Ключевые слова: объемный полуполярный нитрид алюминия, наноструктурированная подложка кремния, хлорид-гидридная газофазная эпитаксия.
  1. M. Usman, M. Munsif, U. Mushtaq, A.-R. Anwar, N. Muhammad, Crit. Rev. Solid State Mater. Sci., 46, 450 (2021). DOI: 10.1080/10408436.2020.1819199
  2. M.H. Crawford, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 15, 1028 (2009). DOI: 10.1109/JSTQE.2009/2013476
  3. F. Bernardini, V. Fiorentini, D. Vanderbilt, Phys. Rev. B, 56, R10024 (1997). DOI: 10.1103/PhysRevB.56.R10024
  4. T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H.A.H. Amano, I.A.I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., 36, L382 (1997). DOI: 10.1143/JJAP.36.L382
  5. S.W. King, R.J. Nemanich, R.F. Davis, J. Appl. Phys., 118, 045304 (2015). DOI: 10.1063/1.4927515
  6. N. Sawaki, T. Hikosaka, N. Koide, Sh. Tanaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, J. Cryst. Growth, 311, 2867 (2009). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2009.01.032
  7. J.L. Li, Y.F. Li, Z.P. Liu, Nat. Commun., 16, 4303 (2025). DOI: 10.1038/s41467-025-59613-5
  8. В.Н. Бессолов, Е.В. Коненкова, ЖТФ, 93 (9), 1235 (2023). DOI: 10.21883/JTF.2023.09.56211.31-23 [V.N. Bessolov, E.V. Konenkova, Tech. Phys., 68 (9), 1145 (2023). DOI: 10.61011/TP.2023.09.57354.31-23]
  9. D.M. Waters, B. Thompson, G. Ferenczi, B. Hourahine, G. Cios, A. Winkelmann, Ch.J.M. Stark, Ch. Wetzel, C. Trager-Cowan, J. Bruckbauer, J. Appl. Phys., 137, 045701 (2025). DOI: 10.1063/5.0244438
  10. M. Jo, N. Morishita, N. Okada, Y. Itokazu, N. Kamata, K. Tadatomo, H. Hirayama, AIP Adv., 8, 105312 (2018). DOI: 10.1063/1.5052294
  11. W. Zheng, R. Zheng, F. Huang, H. Wu, F. Li, Photon. Res., 3 (2), 38 (2015). DOI: 10.1364/prj.3.000038
  12. D. Holec, P.H. Mayrhofer, Scripta Mater., 67 (9), 760 (2012). DOI: 10.1016/j.scriptamat.2012.07.027
  13. V. Jindal, F. Shahedipour-Sandvik, J. Appl. Phys., 106 (8), 083115 (2009). DOI: 10.1063/1.3253575
  14. I.V. Markov, Crystal growth for beginners (Scientific, Singapore, 2003). DOI: 10.1142/5172
  15. G.-H. Lu, M. Huang, M. Cuma, F. Liu, Surf. Sci., 588 (1), 61 (2005). DOI: 10.1016/j.susc.2005.05.028
  16. T. Akiyama, H. Nakane, M. Uchino, K. Nakamura, T. Ito, Phys. Status Solidi B, 255, 1700329 (2018). DOI: 10.1002/pssb.201700329

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme