Влияние параметров p-n-переходов на оптимизацию конструкции контактов в фотоэлектрических преобразователях лазерного излучения
Минтаиров М.А.1, Евстропов В.В.1, Малевская А.Д.1, Минтаиров С.А.1, Шварц М.З.1, Калюжный Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Email: mamint@scell.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 23 июля 2025 г.
В окончательной редакции: 8 октября 2025 г.
Принята к печати: 9 октября 2025 г.
Выставление онлайн: 7 января 2026 г.
Показано, что в фотоэлектрических преобразователях лазерного излучения величина токов насыщения p-n-переходов критически влияет на процессы растекания тока между контактными полосками и, как следствие, во многом определяет выбор оптимальной конструкции лицевой контактной сетки. Проведен расчет оптимальных конструкций контактных сеток для фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения с различной шириной запрещенной зоны Eg при варьировании величины сопротивления слоя растекания RSHEET и ширины контактных полосков Wm. Ключевые слова: фотоэлектрические преобразователи, солнечные элементы, сопротивление растекания, сопротивление контактов.
- M. Klitzke, P. Schygulla, J. Schon, O. Hohn, G. Siefer, H. Helmers, F. Dimroth, D. Lackner, Solar RRL, 8 (10), 2400150 (2024). DOI: 10.1002/solr.202400150
- H. Helmers, E. Oliva, M. Schachtner, G. Mikolasch, L.A. Ruiz-Preciado, A. Franke, J. Bartsch, Prog. Photovolt.: Res. Appl., 32 (9), 636 (2024). DOI: 10.1002/pip.3804
- T.A. Gessert, X. Li, T.J. Coutts, Solar Cells, 30 (1-4), 459 (1991). DOI: 10.1016/0379-6787(91)90078-4
- N.A. Kalyuzhnyy, A.V. Malevskaya, S.A. Mintairov, M.A. Mintairov, M.V. Nakhimovich, R.A. Salii, M.Z. Shvarts, V.M. Andreev, Solar Energy Mater. Solar Cells, 262, 112551 (2023). DOI: 10.1016/j.solmat.2023.112551
- А.Д. Малевская, М.А. Минтаиров, В.В. Евстропов, Д.А. Малевский, Н.А. Калюжный, ФТП, 58 (10), 573 (2024). DOI: 10.61011/FTP.2024.10.59384.6619A [A.D. Malevskaya, M.A. Mintairov, V.V. Evstropov, D.A. Malevskiy, N.A. Kalyuzhnyy, Semiconductors, 58 (10), 528 (2024). DOI: 10.61011/SC.2024.10.59948.6619A]
- R.J. Handy, Solid-State Electron., 10 (8), 765 (1967). DOI: 10.1016/0038-1101(67)90159-1
- A. De Vos, Solar Cells, 12 (3), 311 (1984). DOI: 10.1016/0379-6787(84)90110-8
- C. Algora, V. Di az, Prog. Photovolt.: Res. Appl., 8 (2), 211 (2000). DOI: 10.1002/(SICI)1099-159X(200003/04)8:2<211 ::AID-PIP291>3.0.CO;2-D
- M. Steiner, S.P. Philipps, M. Hermle, A.W. Bett, F. Dimroth, Prog. Photovolt.: Res. Appl., 19 (1), 73 (2010). DOI: 10.1002/pip.989
- C. Algora, I. Garci a, M. Delgado, R. Pena, C. Vazquez, M. Hinojosa, I. Rey-Stolle, Joule, 6, 340 (2022). DOI: 10.5281/zenodo.6620474
- S. Fafarda, D.P. Masson, J. Appl. Phys., 130 (16), 160901 (2021). DOI: 10.1063/5.0070860
- H. Helmers, E. Lopez, O. Hohn, D. Lackner, J. Schon, M. Schauerte, M. Schachtner, F. Dimroth, A.W. Bett, Phys. Status Solidi RRL, 15 (7), 2100113 (2021). DOI: 10.1002/pssr.202100113
- E. Oliva, F. Dimroth, A.W. Bett, Prog. Photovolt.: Res. Appl., 16, 289 (2008). DOI: 10.1002/pip.811
- M.N. Beattie, H. Helmers, G.P. Forcade, C.E. Valdivia, O. Hohn, K. Hinzer, IEEE J. Photovolt., 13 (1), 113 (2023). DOI: 10.1109/JPHOTOV.2022.3218938
- М.А. Минтаиров, В.В. Евстропов, С.А. Минтаиров, Н.Х. Тимошина, М.З. Шварц, Н.А. Калюжный, ФТП, 50 (7), 987 (2016). [M.A. Mintairov, V.V. Evstropov, S.A. Mintairov, N.Kh. Timoshina, M.Z. Shvarts, N.A. Kalyuzhnyy, Semiconductors, 50 (7), 970 (2016). DOI: 10.1134/S1063782616070162]
- V.M. Emelyanov, N.A. Kalyuzhnyy, M.A. Mintairov, S.A. Mintairov, M.Z. Shvarts, V.M. Lantratov, in Proc. of the 25th European Photovoltaic Solar Energy Conf. and Exhibition/5th World Conf. on Photovoltaic Energy Conversion (Valencia, Spain, 2010), vol. 2.33, p. 406. DOI: 10.4229/25THEUPVSEC2010-1DV.2.33
- M.A. Mintairov, V.V. Evstropov, S.A. Mintairov, M.V. Nakhimovich, R.A. Salii, M.Z. Shvarts, N.A. Kalyuzhnyy, Solar Energy Mater. Solar Cells, 264, 112619 (2024). DOI: 10.1016/j.solmat.2023.112619
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.