Моделирование состава Au-каталитических InPxAs1-x и InSbxAs1-x нитевидных нанокристаллов
исследовательский грант СПбГУ , No. 129360164
Лещенко Е.Д.1, Дубровский В.Г.2
1НТЦ микроэлектроники РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия

Email: leshchenko.spb@gmail.com
Поступила в редакцию: 4 сентября 2025 г.
В окончательной редакции: 17 сентября 2025 г.
Принята к печати: 17 сентября 2025 г.
Выставление онлайн: 9 декабря 2025 г.
Проведено теоретическое исследование формирования Au-каталитических нитевидных нанокристаллов InPxAs1-x и InSbxAs1-x. С учетом вклада десорбции представлен анализ влияния температуры и отношения потоков V/III на композиционную зависимость. На примере Au-каталитических нитевидных нанокристаллов InPxAs1-x показано, что концентрация атомов Au не влияет на распределение пар-кристалл, однако влияет на общую концентрацию элементов V группы. Показано, что общая концентрация элементов V группы мала (порядка 1-2 %). Проведено сравнение результатов модели с экспериментальными данными по росту нитевидных нанокристаллов тройных соединений и показано их хорошее согласие. Ключевые слова: моделирование, нитевидные нанокристаллы III-V, химический состав, тройные соединения.
- F. Glas, Phys. Rev. B, 74, 121302 (2006). DOI: 10.1103/PhysRevB.74.121302
- K.A. Dick, P. Caroff, J. Bolinsson, M.E. Messing, J. Johansson, K. Deppert, L.R. Wallenberg, L.Samuelson, Semicond. Sci. Technol., 25, 024009 (2010). DOI: 10.1088/0268-1242/25/2/024009
- V.G. Dubrovskii, T. Xu, A.D. Alvarez, S.R. Plissard, P. Caroff, F. Glas, B. Grandidier, Nano Lett., 15, 5580 (2015). DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b02226
- E.S. Koivusalo, T.V. Hakkarainen, M.D. Guina, V.G. Dubrovskii, Nano Lett., 17, 5350 (2017). DOI: 10.1021/acs.nanolett.7b01766
- X. Yuan, D. Pan, Y. Zhou, X. Zhang, K. Peng, B. Zhao, M. Deng, J. He, H.H. Tan, C. Jagadish, Appl. Phys. Rev., 8, 021302 (2021). DOI: 10.1063/5.0044706
- J. Wallentin, M.T. Borgstrom, J. Mater. Res., 26, 2142 (2011). DOI: 10.1557/jmr.2011.214
- B.D. Liu, J. Li, W.J. Yang, X.L. Zhang, X. Jiang, Y. Bando, Small, 13, 170199 (2017). DOI: 10.1002/smll.201701998
- R.S. Wagner, W.C. Ellis, Appl. Phys. Lett., 4, 89 (1964). DOI: 10.1063/1.1753975
- P. Krogstrup, R. Popovitz-Biro, E. Johnson, M.H. Madsen, J. Nygard, H. Shtrikman, Nano Lett., 10, 4475 (2010). DOI: 10.1021/nl102308k
- P. Caroff, M.E. Messing, M. Borg, K.A. Dick, K. Deppert, L.E. Wernersson, Nanotechnology, 20, 495606 (2009). DOI: 10.1088/0957-4484/20/49/495606
- F. Jabeen, S. Rubini, F. Martelli, Microelectron. J., 40, 442 (2009). DOI: 10.1016/j.mejo.2008.06.001
- M. Ghasemi, E.D. Leshchenko, J. Johansson, Nanotechnology, 32, 072001 (2021). DOI: 10.1088/1361-6528/abc3e2
- E. Barrigon, M. Heurlin, Z. Bi, B. Monemar, L. Samuelson, Chem. Rev., 119, 9170 (2019). DOI: 10.1021/acs.chemrev.9b00075
- E.D. Leshchenko, V.G. Dubrovskii, Nanomaterials, 13, 1659 (2023). DOI: 10.3390/nano13101659
- G. Priante, F. Glas, G. Patriarche, K. Pantzas, F. Oehler, J.-C. Harmand, Nano Lett., 16, 1917 (2016). DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b05121
- V.G. Dubrovskii, A.A. Koryakin, N.V. Sibirev, Mater. Des., 132, 400 (2017). DOI: 10.1016/j.matdes.2017.07.012
- J. Johansson, M. Ghasemi, Phys. Rev. Mater., 1, 040401 (2017). DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.1.040401
- R. Sjokvist, D. Jacobsson, M. Tornberg, R. Wallenberg, E.D. Leshchenko, J. Johansson, K.A. Dick, J. Phys. Chem. Lett., 12, 7590 (2021). DOI: 10.1021/acs.jpclett.1c02121
- D. McLean, Grain boundaries in metals (Oxford University Press, N.Y., 1957)
- V.G. Dubrovskii, E.D. Leshchenko, Phys. Rev. Mater., 7, 074603 (2023). DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.7.074603
- V.G. Dubrovskii, Phys. Rev. Mater., 7, 096001 (2023). DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.7.096001
- V.G. Dubrovskii, Nanomaterials, 14, 207 (2024). DOI: 10.3390/nano14020207
- V.G. Dubrovskii, E.D. Leshchenko, Nanomaterials, 14, 1333 (2024). DOI: 10.3390/nano14161333
- E.D. Leshchenko, M. Ghasemi, V.G. Dubrovskii, J. Johansson, CrystEngComm, 20, 1649 (2018). DOI: 10.1039/C7CE02201H
- A.I. Persson, M.T. Bjork, S. Jeppesen, J.B. Wagner, L.R. Wallenberg, L. Samuelson, Nano Lett., 6, 403 (2006). DOI: 10.1021/nl052181e
- B.M. Borg, K.A. Dick, J. Eymery, L.-E. Wernersson, Appl. Phys. Lett., 98, 113104 (2011). DOI: 10.1063/1.3566980
- E.D. Leshchenko, V.G. Dubrovskii, Nanotechnology, 34, 065602 (2023). DOI: 10.1088/1361-6528/aca1c9