Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2026
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Одиночный нитевидный кристалл теллура как элемент сенсора NO2: структура и экспресс-демонстрация чувствительности
-, -, -
Рабаданов М.Р.
1, Кривецкий В.В.
2, Исмаилов А.М.
1, Умаханов М.А.1, Рабаданов М.Х.
1
1Дагестанский государственный университет, Махачкала, Россия 
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: rm777r@yandex.ru, vkrivetsky@inorg.chem.msu.ru, egdada@mail.ru, umagomed.1999.3@gmail.com, rab_mur@mail.ru
Поступила в редакцию: 15 августа 2025 г.
В окончательной редакции: 2 сентября 2025 г.
Принята к печати: 3 сентября 2025 г.
Выставление онлайн: 9 декабря 2025 г.
Исследованы нитевидные кристаллы (НК) теллура (сплошные и полые) с воспроизводимой морфологией и геометрией, полученные методом испарения теллура в среде водорода. Показана возможность прямой интеграции одиночного НК Те в микроструктуру газового сенсора и проведена экспресс-оценка его отклика на NO2 при комнатной температуре. Для НК Те разного диаметра (28 и 60 μm) зафиксирован сенсорный отклик: при концентрации 5 ppm чувствительность достигает S~10 %; минимальный зарегистрированный порог составляет 0.3 ppm (для НК диаметром 28 μm). Полученные результаты подтверждают перспективность применения одиночных НК Те в миниатюрных газоанализаторах с низким энергопотреблением, причем полые НК Те представляются особенно перспективными благодаря увеличенному отношению поверхности к объему. Ключевые слова: нитевидные кристаллы теллура, газовые сенсоры, закись азота, сенсорный отклик.
- L.-X. Ou, M.-Y. Liu, L.-Y. Zhu, D.W. Zhang, H.-L. Lu, Nano-Micro Lett., 14, 206 (2022). DOI: 10.1007/s40820-022-00956-9
- B. Zong, S. Wu, Y. Yang, Q. Li, T. Tao, S. Mao, Nano-Micro Lett., 17, 54 (2025). DOI: 10.1007/s40820-024-01543-w
- A. Dey, Mater. Sci. Eng. B, 229, 206 (2018). DOI: 10.1016/j.mseb.2017.12.036
- S. Sen, K.P. Muthe, N. Joshi, S.C. Gadkari, S.K. Gupta, Jagannath, M. Roy, S.K. Deshpande, J.V. Yakhmi, Sensors Actuators B, 98 (2-3), 154 (2004). DOI: 10.1016/j.snb.2003.10.004
- D. Tsiulyanu, A. Tsiulyanu, H.D. Liess, I. Eisele, Thin Solid Films, 485 (1-2), 252 (2005). DOI: 10.1016/j.tsf.2005.03.045
- T. Siciliano, M. Di Giulio, M. Tepore, E. Filippo, G. Micocci, A. Tepore, Sensors Actuators B, 135 (1), 250 (2008). DOI: 10.1016/j.snb.2008.08.018
- D. Tsiulyanu, Beilstein J. Nanotechnol., 11, 1010 (2020). DOI: 10.3762/bjnano.11.85
- S. Sen, M. Sharma, V. Kumar, K.P. Muthe, P.V. Satyam, U.M. Bhatta, M. Roy, N.K. Gaur, S.K. Gupta, J.V. Yakhmi, Talanta, 77 (5), 1567 (2009). DOI: 10.1016/j.talanta.2008.09.055
- T. Siciliano, E. Filippo, A. Genga, G. Micocci, M. Siciliano, A. Tepore, Sensors Actuators B, 142, 185 (2009). DOI: 10.1016/j.snb.2009.07.050
- Z. Wang, L. Wang, J. Huang, H. Wang, L. Pan, X. Wei, J. Mater. Chem., 20 (12), 2457 (2010). 8.69 DOI: 10.1039/b924462j
- Y.C. Her, S.L. Huang, Nanotechnology, 24 (21), 215603 (2013). DOI: 10.1088/0957-4484/24/21/215603
- H. So, J. Yoo, K. Ryu, M.H. Yang, K.J. Lee, Ceram. Int., 45 (6), 7226 (2019). DOI: 10.1016/j.ceramint.2019.01.003
- T. Siciliano, A. Genga, G. Micocci, M. Siciliano, M. Tepore, A. Tepore, Sensors Actuators B, 201, 138 (2014). DOI: 10.1016/j.snb.2014.04.098
- L. Guan, S. Wang, W. Gu, J. Zhuang, H. Jin, W. Zhang, T. Zhang, J. Wang, Sensors Actuators B, 196, 321 (2014). DOI: 10.1016/j.snb.2014.02.014
- L. Wang, X. Yao, Y. Zhang, G. Luo, B. Wang, X. Yu, Next Mater., 2, 100092 (2024). 8.89 DOI: 10.1016/j.nxmate.2023.100092
- S. Yoon, T. Kim, S.-S. Chee, Y. Kim, H. Jung, Appl. Surf. Sci., 684, 161800 (2025). DOI: 10.1016/j.apsusc.2024.161800
- Y. Je, S.S. Chee, Electron. Mater. Lett., 21 (1), 94 (2025). DOI: 10.1007/s13391-024-00520-0
- H. Zhu, L. Fan, K. Wang, H. Liu, J. Zhang, S. Yan, Nanomaterials, 13, 2057 (2023). 8.89 DOI: 10.3390/nano13142057
- А.М. Исмаилов, И.М. Шапиев, М.Х. Рабаданов, И.Ш. Алиев, Письма в ЖТФ, 41 (2), 64 (2015). [A.M. Ismailov, I.M. Shapiev, M.Kh. Rabadanov, I.Sh. Aliev, Tech. Phys. Lett., 41 (1), 83 (2015). DOI: 10.1134/S1063785015010265]
- М.Р. Рабаданов, А.А. Степуренко, А.Э. Гумметов, А.М. Исмаилов, ФТП, 55 (6), 493 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.06.50913.9631 [M.R. Rabadanov, A.A. Stepurenko, A.E. Gummetov, A.M. Ismailov, Semiconductors, 55, 551 (2021). DOI: 10.1134/S1063782621060129]
