Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2026
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Синтез и исследование композитных GexNi1-x пленок, полученных осаждением германия и никеля
Russian science foundation, no. 24-23-00544, https://rscf.ru/en/project/24-23-00544/
Сулейманов Н.М.
1, Абдуллина А.А.2, Базаров В.В.
1, Лядов Н.М.
1, Ханов Н.Р.1,2, Шустов В.А.
1
1Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского, ФИЦ Казанский научный центр РАН, Казань, Россия 
2Казанский государственный энергетический университет, Казань, Россия
2Казанский государственный энергетический университет, Казань, Россия
Email: nail.suleimanov@mail.ru, vbazarov1@gmail.com, nik061287@mail.ru, shustov@kfti.knc.ru
Поступила в редакцию: 4 июля 2025 г.
В окончательной редакции: 20 августа 2025 г.
Принята к печати: 1 сентября 2025 г.
Выставление онлайн: 21 ноября 2025 г.
Методом магнетронного распыления в режиме постоянного тока в высоковакуумной камере синтезирована серия пленок GexNi1-x на монокристаллических подложках кремния. Пленки получали осаждением при одновременном распылении двух мишеней: полупроводникового германия и металлического никеля. Химический состав пленок исследовался методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Установлено, что термический отжиг пленок приводит к формированию в них фазы германида никеля NiGe. Методом сканирующей электронной микроскопии обнаружены области, которые можно отнести к указанной фазе. Ключевые слова: электродные материалы, металлические наночастицы, электрокаталитическая активность, полупроводниковые наноструктурированные системы.
- D. Saikia, J.P. Borah, Appl. Phys. A, 124, 240 (2018). DOI: 10.1007/s00339-018-1623-4
- S. Roy, M.P. Ghosh, S. Mukherjee, Appl. Phys. A, 127, 451 (2021). DOI: 10.1007/s00339-021-04580-z
- F. Anchieta e Silva, V.M. Martins Salim, T. Silva Rodrigues, Appl. Chem., 4, 86 (2024). 8.79 DOI: 10.3390/appliedchem4010007
- P. Mahadevan, J.M. Osorio-Guillen, A. Zunger, Appl. Phys. Lett., 86, 172504 (2005). DOI: 10.1063/1.1921359
- В.В. Базаров, В.А. Шустов, Н.М. Лядов, И.А. Файзрахманов, И.В. Янилкин, С.М. Хантимеров, Р.Р. Гарипов, Р.Р. Фатыхов, Н.М. Сулейманов, В.Ф. Валеев, Письма в ЖТФ, 45 (20), 36 (2019). DOI: 10.21883/PJTF.2019.20.48392.17949 [V.V. Bazarov, V.A. Shustov, N.M. Lyadov, I.A. Faizrakhmanov, I.V. Yanilkin, S.M. Khantimerov, R.R. Garipov, R.R. Fatykhov, N.M. Suleimanov, V.F. Valeev, Tech. Phys. Lett., 45 (10), 1047 (2019). DOI: 10.1134/S1063785019100183]
- Н.М. Лядов, Т.П. Гаврилова, С.М. Хантимеров, В.В. Базаров, Н.М. Сулейманов, В.А. Шустов, В.И. Нуждин, И.В. Янилкин, А.И. Гумаров, И.А. Файзрахманов, Л.Р. Тагиров, Письма в ЖТФ, 46 (14), 33 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.14.49664.18233 [N.M. Lyadov, T.P. Gavrilova, S.M. Khantimerov, V.V. Bazarov, N.M. Suleimanov, V.A. Shustov, V.I. Nuzhdin, I.V. Yanilkin, A.I. Gumarov, I.A. Faizrakhmanov, L.R. Tagirov, Tech. Phys. Lett., 46 (7), 707 (2020). 8.79 DOI: 10.1134/S1063785020070196]
- L. Lutterotti, Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 268 334 (2010). DOI: 10.1016/j.nimb.2009.09.053
- MAUD --- Materials Analysis Using Diffraction (and more) [Электронный ресурс]. http://maud.radiographema.eu
- M. Kars, A.G. Herrero, T. Roisnel, A. Rebbah, L.C. Otero-Diaz, Acta Cryst. E, 71, 318 (2015). DOI: 0.1107/S2056989015003680
- V. Begeza, L. Rebohle, H. Stocker, J. Alloys Compd., 990, 174420 (2024). DOI: 10.1016/j.jallcom.2024.174420
