Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Аналитические модели барьерной емкости p-n-перехода в высоковольтных мезаэпитаксиальных полупроводниковых структурах
1Национальный исследовательский Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева, Саранск, Россия 
Email: suraykin@mail.ru, ka-mgu@mail.ru, mister.suraykin@mail.ru
Поступила в редакцию: 20 марта 2025 г.
В окончательной редакции: 18 апреля 2025 г.
Принята к печати: 30 апреля 2025 г.
Выставление онлайн: 8 июля 2025 г.
Приведены результаты исследования и расчета общей барьерной емкости высоковольтных, мезаэпитаксиальных диодов. Показано, как влияет периферийная мезаобласть на величину общей барьерной емкости p-n-перехода в мезаэпитаксиальных диодных структурах. Предложена аналитическая модель общей барьерной емкости высоковольтных мезаэпитаксиальных диодных структур, учитывающая емкость периферийной мезаобласти. Получены самосогласованные аналитические соотношения для барьерной емкости мезаобласти в двух вариантах: с постоянным углом наклона мезафаски, с переменным углом наклона мезафаски. Ключевые слова: мезаэпитаксиальный диод, мезаобласть, мезафаска, барьерная емкость, вольт-фарадная характеристика.
- S.M. Sze, K.K. Ng, Physics of semiconductor devices (John Wiley and Sons, Inc., 2007), p. 80-86
- А.С. Кюрегян, ФТП, 45 (1), 67 (2011). [A.S. Kyureguan, Semiconductors, 45 (1), 66 (2011). DOI: 10.1134/S1063782611010155]
- S.M. Sze, M.K. Lee, Semiconductor devices, physics and technology (John Wiley and Sons, Inc., 2010), p. 95--96
- K.A. Jackson, W. Schroeter, Compound semiconductor devices: structures, and processing (Wiley-VCH, Weinheim--N.Y.--Brisbane--Singapore--Toronto, 1998), p. 85--86
- C.Y. Chang, F. Kai, GaAs high-speed devices: physics, technology and circuit applications (John Wiley and Sons, Inc., 1994), p. 119-123
- А.И. Сурайкин, А.А. Сурайкин, Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы, N 2 (269), 20 (2023). DOI: 10.36845/2073-8250-2023-269-2-20-31
