Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2025, выпуск 12 » Статья стр. 38
<<<>>>
Мемристорный эффект в композитной пленке PZT:TiOx
the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation, state assignment , No. FSFZ-2023-0005
Делимова Л.А. 1, Гущина Е.В.1, Юферев В.С. 1, Серегин Д.С. 2, Воротилов К.А. 2, Сигов А.С. 2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2МИРЭА - Российский технологический университет, Москва, Россия
Email: ladel@mail.ioffe.ru, katgushch@yandex.ru, valyuf@ammp3.ioffe.ru, d_seregin@mirea.ru, vorotilov@mirea.ru, sigov@mirea.ru
Поступила в редакцию: 27 января 2025 г.
В окончательной редакции: 23 марта 2025 г.
Принята к печати: 24 марта 2025 г.
Выставление онлайн: 5 июня 2025 г.
PDF версия
Исследованы электрические свойства нового типа конденсаторных структур с композитной пленкой Pt/PZT:TiOx/Pt, в которых трехмерная наноразмерная структура пор в сегнетоэлектрической пленке цирконата-титаната свинца заполнена диоксидом титана. Методами электрических измерений на постоянном и переменном токе и измерением локального тока методом контактной атомно-силовой микроскопии обнаружен мемристорный эффект, открывающий возможности исследования подобных структур для использования в перспективных устройствах резистивной памяти. Ключевые слова: сегнетоэлектрическая композитная пленка, диоксид титана, переключаемые резистивные состояния.
  1. S. Slesazeck, T. Mikolajick, Nanotechnology, 30, 352003 (2019). DOI: 10.1088/1361-6528/ab2084
  2. Z. Wang, Y. Song, G. Zhang, Q. Luo, K. Xu, D. Gao, B. Yu, D. Loke, S. Zhong, Y. Zhang, Int. J. Extrem. Manuf., 6, 032006 (2024). DOI: 10.1088/2631-7990/ad2fea
  3. А.А. Резванов, Е.А. Ганыкина, А.А. Орлов, С.А. Горохов, С.С. Зюзин, Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника, N 1 (185), 69 (2022). DOI: 10.7868/S2410993222010080
  4. Q. Gao, A. Huang, Q. Hu, X. Zhang, Y. Chi, R. Li, Y. Ji, X. Chen, R. Zhao, M. Wang, H. Shi, M. Wang, Y. Cui, Z. Xiao, P.K. Chu, ACS Appl. Mater. Interfaces, 11, 21734 (2019). DOI: 10.1021/ACSAMI.9B06855
  5. Q. Gao, A. Huang, J. Zhang, Y. Ji, J. Zhang, X. Chen, X. Geng, Q. Hu, M. Wang, Z. Xiao, P.K. Chu, NPG Asia Mater., 13, 3 (2021). DOI: 10.1038/s41427-020-00274-9
  6. D.S. Seregin, L.A. Delimova, V.A. Yakuschev, A.S. Vishnevskiy, A.V. Atanova, D.N. Khmelenin, O.M. Zhigalina, E.V. Gushchina, A.V. Ankudinov, A.S. Sigov, K.A. Vorotilov, Mater. Chem. Phys., 332, 130224 (2025). DOI: 10.1016/j.matchemphys.2024.130224
  7. A.V. Atanova, O.M. Zhigalina, D.N. Khmelenin, G.A. Orlov, D.S. Seregin, A.S. Sigov, K.A. Vorotilov, J. Am. Ceram. Soc., 105 (1), 639 (2022). DOI: 10.1111/JACE.18064
  8. D.S. Jeong, H. Schroeder, U. Breuer, R. Waser, J. Appl. Phys., 104 (12), 123716 (2008). DOI: 10.1063/1.3043879
  9. Д.О. Филатов, О.Н. Горшков, В.Г. Шенгуров, С.А. Денисов, М.Е. Шенина, В.Е. Котомина, И.Н. Антонов, А.В. Круглов, Письма в ЖТФ, 49 (1), 5 (2023). DOI: 10.21883/PJTF.2023.01.54048.19367 [D.O. Filatov, O.N. Gorshkov, V.G. Shengurov, S.A. Denisov, M.E. Shenina, V.E. Kotomina, I.N. Antonov, A.V. Kruglov, Tech. Phys. Lett., 49 (1), 3 (2023). DOI: 10.21883/TPL.2023.01.55336.19367]
  10. C. Ferreyra, M. Rengifo, M.J. Sanchez, A.S. Everhardt, B. Noheda, D. Rubi, Phys. Rev. Appl., 14 (4), 044045 (2020). DOI: 10.1103/PhysRevApplied.14.044045
  11. Л.А. Делимова, Н.В. Зайцева, В.В. Ратников, В.С. Юферев, Д.С. Серегин, К.А. Воротилов, А.С. Сигов, ФТТ, 63 (8), 1076 (2021). DOI: 0.21883/FTT.2021.08.51157.052 [L.A. Delimova, N.V. Zaitseva, V.V. Ratnikov, V.S. Yuferev, D.S. Seregin, K.A. Vorotilov, A.S. Sigov, Phys. Solid State, 63, 1145 (2021). DOI: 10.1134/S1063783421080060]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme