Показано, что с помощью количественного анализа распределения высот рельефа в сканирующей туннельной микроскопии можно получать данные не только о шероховатости, но и об атомном строении, морфологической структуре и фазовом составе исследуемых образцов. Приведены результаты такого анализа для хорошо известных модельных поверхностей Ge(111)c(2x 8) и Si(100)(2x 1), а также пленочной системы BaO/Si(100) при различных температурах. Ключевые слова: сканирующая туннельная микроскопия, морфология поверхности, гистограмма высот, атомная структура, фазовый состав.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.