Вышедшие номера
Микроразмерные GaSb фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения высокой плотности
Хвостиков В.П. 1, Малевская А.В. 1, Покровский П.В. 1, Хвостикова О.А. 1, Солдатенков Ф.Ю. 1, Нахимович М.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Vlkhv@scell.ioffe.ru, amalevskaya@mail.ioffe.ru, p.pokrovskiy@mail.ioffe.ru, Olgakhv@mail.ioffe.ru, f.soldatenkov@mail.ioffe.ru, nmar@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 8 октября 2024 г.
В окончательной редакции: 31 октября 2024 г.
Принята к печати: 31 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 26 февраля 2025 г.

Выполнены исследования и разработана технология изготовления фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения (λ=1550 nm), получаемых методом двухстадийной диффузии Zn в подложку n-GaSb, с диаметром фоточувствительной области 30 и 80 μm. Проведены исследования по снижению оптических и омических потерь при преобразовании высокой плотности мощности лазерного излучения (до 1.6 kW/cm2). Достигнута эффективность преобразования лазерного излучения более 38% при плотности фототока 200-550 A/cm2. Ключевые слова: фотоэлектрический преобразователь, лазерное излучение, диффузия.