Выполнены экспериментальные исследования базовых параметров пленок алюминия толщиной 150 nm на подложках Si(111), SiO₂/Si(001). Пленки получены методами магнетронного распыления и термического испарения в диапазоне температур от 77 до 800 K. Для охлаждения подложки до температуры жидкого азота изготовлена вакуумная вставка в установку Z400, а для нагрева до 800 K использован штатный нагреватель установки Kurt Lesker. Установлено, что криогенное осаждение адатомов алюминия по сравнению с напылением на горячую подложку позволяет снизить размер формируемых зерен с 280 до 15-20 nm, а величину шероховатости с 5.4 до 1.7 nm. Удельное сопротивление пленок и температура сверхпроводящего перехода T_c возрастают с 27 до 260 Ω·nm и с 1.2 до 2.3 K соответственно. Это связано с увеличением числа межзеренных границ в криогенных Al-пленках и может привести к возрастанию их кинетической индуктивности в 20 раз и более. Ключевые слова: тонкие пленки, алюминий, удельное сопротивление, температура сверхпроводящего перехода, сканирующая электронная микроскопия, атомная силовая микроскопия.