Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние температуры на напряжение переключения лавинных S-диодов
Российский научный фонд, Конкурс проектов малых отдельных научных групп, 23-29-00053
Прудаев И.А.
1, Копьев В.В.
1, Олейник В.Л.
1, Скакунов М.С.
1, Сотникова А.С.1,2, Гущин С.М.
2, Земляков В.Е.
3
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия 
2Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия
3Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
2Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия
3Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
Email: funcelab@gmail.com, viktor.kopev@gmail.com, dozorx777@gmail.com, skakunovms@mail.ru, kurasova_as@niipp.ru, guschin_sm@niipp.ru, vzml@rambler.ru
Поступила в редакцию: 23 сентября 2024 г.
В окончательной редакции: 21 октября 2024 г.
Принята к печати: 22 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 26 февраля 2025 г.
Представлены результаты экспериментального исследования влияния температуры на напряжение переключения лавинного S-диода, изготовленного из GaAs с примесью железа. Установлено, что рост температуры может приводить к снижению напряжения переключения при высокой частоте коммутации (500 kHz). Для анализа эффекта проведено моделирование двукратного переключения S-диода. Обнаружено два различных режима его работы на высокой частоте следования импульсов. Ключевые слова: лавинный пробой, глубокие центры, арсенид галлия, силовая электроника, импульсная техника. DOI: 10.21883/0000000000
- S.N. Vainshtein, V.S. Yuferev, J.T. Kostamovaara, M.M. Kulagina, H.T. Moilanen, IEEE Trans. Electron Dev., 57 (4), 733 (2010). DOI: 10.1109/TED.2010.2041281
- I.A. Prudaev, S.N. Vainshtein, M.G. Verkholetov, V.L. Oleinik, V.V. Kopyev, IEEE Trans. Electron Dev., 68 (1), 57 (2021). DOI: 10.1109/TED.2020.3039213
- S. Vainshtein, I. Prudaev, G. Duan, T. Rahkonen, Solid State Commun., 365, 115111 (2023). DOI: 10.1016/j.ssc.2023.115111
- A. Liero, A. Klehr, A. Knigge, W. Heinrich, Eng. Res. Express, 2 (1), 015023 (2020). DOI: 10.1088/2631-8695/ab5be5
- J. Glaser, IEEE Power Electron. Mag., 4 (1), 25 (2017). DOI: 10.1109/MPEL.2016.2643099
- С.О. Слипченко, А.А. Подоскин, И.В. Шушканов, В.А. Крючков, А.Э. Ризаев, М.И. Кондратов, А.Е. Гришин, Н.А. Пихтин, Т.А. Багаев, В.Н. Светогоров, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк, В.А. Симаков, Письма в ЖТФ, 50 (4), 43 (2024). DOI: 10.61011/PJTF.2024.04.57101.19771 [S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, I.V. Shushkanov, V.A. Krychkov, A.E. Rizaev, M.I. Kondratov, A.E. Grishin, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, V.N. Svetogorov, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov, Tech. Phys. Lett., 50 (2), 81 (2024). DOI: 10.61011/TPL.2024.02.57993.19771]
- S. Vainshtein, G. Duan, T. Rahkonen, Z. Taylor, V. Zemlyakov, V. Egorkin, O. Smolyanskaya, T. Skotnicki, W. Knap, Results Phys., 19, 103509 (2020). DOI: 10.1016/j.rinp.2020.103509
- Б.А. Наливайко, А.С. Берлин, В.Г. Божков, В.В. Вейц, Г.П. Гермогенова, Л.С. Либерман, Г.Л. Приходько, Л.Ф. Сарафанова, А.К. Шухостанов, Полупроводниковые приборы. Сверхвысокочастотные диоды (РАСКО, Томск, 1992), с. 75-77
- I.A. Prudaev, V.V. Kopyev, V.L. Oleinik, V.E. Zemlyakov, IEEE Trans. Electron Dev., 71 (10), 5831 (2024). DOI: 10.1109/TED.2024.3438675
- Дж. Блекмор, Статистика электронов в полупроводниках (Мир, М., 1964), с. 140
