Вышедшие номера
Влияние внешнего магнитного поля на люминесценцию кристаллов фосфида галлия
Министерство науки и высшего образования России , Государственное задание вузам, № FZRR-2023-0009
Волкова Л.В. 1, Каленков С.Г. 1, Скворцова А.А. 1, Николаев В.К. 1, Скворцов А.А. 1
1Московский политехнический университет, Москва, Россия
Email: volkovalv@inbox.ru, kaser45@gmail.com, skvortsovaanuta@yandex.ru, nvk64@list.ru, skvortsovaa2009@yandex.ru
Поступила в редакцию: 28 августа 2024 г.
В окончательной редакции: 23 сентября 2024 г.
Принята к печати: 24 сентября 2024 г.
Выставление онлайн: 13 февраля 2025 г.

Обнаружено влияние постоянного магнитного поля на спектры фотолюминесценции в монокристаллах фосфида галлия. Установлено, что предварительная экспозиция кристаллов GaP в постоянном магнитном поле (B<0.5  T) при комнатной температуре приводит к увеличению интенсивности полосы люминесценции с максимумом при λ=565 nm при воздействии на кристалл лазера с длиной волны 405 nm и мощностью не более 10 mW. При этом время релаксации полосы к исходному состоянию не превышало 3 h. Наблюдаемые особенности авторы связывают с влиянием магнитного поля как на скорость интеркомбинационной конверсии (S1-> T1) в кристаллах GaP, так и на переход комплексов фосфида галлия с азотом в возбужденное состояние. Ключевые слова: фосфид галлия, постоянное магнитное поле, люминесценция, релаксация, интеркомбинационная конверсия.