Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние внешнего магнитного поля на люминесценцию кристаллов фосфида галлия
Министерство науки и высшего образования России , Государственное задание вузам, № FZRR-2023-0009
Волкова Л.В.
1, Каленков С.Г.
1, Скворцова А.А.
1, Николаев В.К.
1, Скворцов А.А.
1
1Московский политехнический университет, Москва, Россия 
Email: volkovalv@inbox.ru, kaser45@gmail.com, skvortsovaanuta@yandex.ru, nvk64@list.ru, skvortsovaa2009@yandex.ru
Поступила в редакцию: 28 августа 2024 г.
В окончательной редакции: 23 сентября 2024 г.
Принята к печати: 24 сентября 2024 г.
Выставление онлайн: 13 февраля 2025 г.
Обнаружено влияние постоянного магнитного поля на спектры фотолюминесценции в монокристаллах фосфида галлия. Установлено, что предварительная экспозиция кристаллов GaP в постоянном магнитном поле (B<0.5 T) при комнатной температуре приводит к увеличению интенсивности полосы люминесценции с максимумом при λ=565 nm при воздействии на кристалл лазера с длиной волны 405 nm и мощностью не более 10 mW. При этом время релаксации полосы к исходному состоянию не превышало 3 h. Наблюдаемые особенности авторы связывают с влиянием магнитного поля как на скорость интеркомбинационной конверсии (S1-> T1) в кристаллах GaP, так и на переход комплексов фосфида галлия с азотом в возбужденное состояние. Ключевые слова: фосфид галлия, постоянное магнитное поле, люминесценция, релаксация, интеркомбинационная конверсия.
- A.R. Aparna, V. Brahmajirao, T.V. Karthikeyan, Procedia Mater. Sci., 6, 1650 (2014). DOI: 10.1016/j.mspro.2014.07.150
- Y. Choi, C. Choi, J. Bae, J. Park, K. Shin, J. Ind. Eng. Chem., 123, 509 (2023). DOI: 10.1016/j.jiec.2023.04.005
- N.P. Singh, J. Ghosh, N.K. Jaiswal, Solid State Commun., 390, 115593 (2024). DOI: 10.1016/j.ssc.2024.115593
- S. Yun, C.-H. Kuo, P.-C. Lee, S.T. Ueda, V. Wang, H. Kashyap, A.J. Mcleod, Z. Zhang, C.H. Winter, A.C. Kummel, Appl. Surf. Sci., 619, 156727 (2023). DOI: 10.1016/j.apsusc.2023.156727
- S. Yun, P.-C. Lee, C.-H. Kuo, A.J. Mcleod, Z. Zhang, V. Wang, J. Huang, H. Kashyap, C.H. Winter, A.C. Kummel, Vacuum, 220, 112806 (2024). DOI: 10.1016/j.vacuum.2023.112806
- T.V. Vu, J. Guerrero-Sanchez, D.M. Hoat, Chem. Phys., 582, 112297 (2024). DOI: 10.1016/j.chemphys.2024.112297
- В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, М.В. Колдаева, Р.К. Котовский, Е.А. Петржик, П. Трончик, УФН, 187 (3), 327 (2017). DOI: 10.3367/UFNr.2016.07.037869 [V.I. Alshits, E.V. Darinskaya, M.V. Koldaeva, R.K. Kotowski, E.A. Petrzhik, P. Tronczyk, Phys. Usp., 60, 305 (2017). DOI: 10.3367/UFNe.2016.07.037869]
- Р.Б. Моргунов, УФН, 174 (2), 131 (2004). DOI: 10.3367/UFNr.0174.200402c.0131 [R.B. Morgunov, Phys. Usp., 47, 125 (2004). DOI: 10.1070/PU2004v047n02ABEH001683]
- Ю.И. Головин, ФТТ, 46 (5), 769 (2004). [Yu.I. Golovin, Phys. Solid State, 46, 789 (2004). DOI: 10.1134/1.1744954]
- Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, А.А. Баскаков, С.З. Шмурак, ФТТ, 41 (11), 1944 (1999). [Yu.I. Golovin, R.B. Morgunov, A.A. Baskakov, S.Z. Shmurak, Phys. Solid State, 41, 1783 (1999). DOI: 10.1134/1.1131097]
- Р.Б. Моргунов, М.А. Баширов, Ю.В. Малютин, В.Л. Бердинский, Y. Tanimoto, ФТТ, 49 (3), 430 (2007). [R.B. Morgunov, M.A. Bashirov, Yu.V. Malyutin, V.L. Berdinskivi, Y. Tanimoto, Phys. Solid State, 49, 445 (2007). DOI: 10.1134/S1a063783407030080]
- A.T. Vink, Optical properties of donor-acceptor pairs and bound excitions in GaP (Technische Hogeschool Eindhoven, 1974). DOI: 10.6100/IR111369
- S. Pyshkin, J. Ballato, M. Bass, T. Giorgio, J. Electron. Mater., 37, 388 (2008). DOI: 10.1007/s11664-007-0375-2
- А.Э. Юнович, ФТП, 32 (10), 1181 (1998). [A.E. Yunovich, Semiconductors, 32, 1054 (1998). DOI: 10.1134/1.1187564]
- Y. Shirasaki, G. Supran, M. Bawendi, V. Bulovie, Nat. Photon., 7, 13 (2013). DOI: 10.1038/nphoton.2012.328
- K. Lohnebt, E. Kubalek, Phys. Status Solidi A, 80, 173 (1983). DOI: 10.1515/9783112494769-020
- M. Neuberger, in: III- V semiconducting compound (Springer, Boston, 1971), p. 66--76. DOI: 10.1007/978-1-4615-9606-6_13
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
