Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2025, выпуск 1 » Статья стр. 33
<<<>>>
Особенности доменной структуры многослойной пленки SnO2/Ga2O3/GaN/Al2O3
Бойко М.Е. 1, Шарков М.Д. 1, Бойко А.М.1, Бутенко П.Н.1, Алмаев А.В.2, Николаев В.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Email: boikomix@gmail.com, mischar@mail.ru, andray599@gmail.com, pavel.butenko@mail.ioffe.ru, almaev_alex@mail.ru, nkvlad@inbox.ru
Поступила в редакцию: 11 июня 2024 г.
В окончательной редакции: 20 августа 2024 г.
Принята к печати: 21 августа 2024 г.
Выставление онлайн: 9 января 2025 г.
PDF версия
В пленке SnO2/Ga2O3/GaN/Al2O3, выращенной методами газофазной эпитаксии, проведено исследование доменообразования с помощью рентгеновской дифрактометрии. Получены оценки размеров доменов в направлении нормали к пленке в слоях образца и подложке. Установлено снижение степени совершенства слоев по мере удаления от подложки. Сформулирована гипотеза об аморфности либо наноструктурированности верхнего слоя диоксида олова. Ключевые слова: полупроводниковые гетероструктуры, многослойные пленки, рентгеновская дифрактометрия, доменная структура, совершенство кристаллов.
  1. S.I. Stepanov, V.I. Nikolaev, V.E. Bougrov, A.E. Romanov, Rev. Adv. Mater. Sci., 44 (1), 63 (2016). http://www.ipme.ru/e-journals/RAMS/no_14416/06_14416_stepanov.pdf
  2. N.S. Jamwal, A. Kiani, Nanomaterials, 12 (12), 2061 (2022). DOI: 10.3390/nano12122061
  3. A. Uddin, H. Yi, Solar RRL, 6 (6), 2100983 (2022). DOI: 10.1002/solr.202100983
  4. S. Das, V. Jayaraman, Prog. Mater. Sci., 66, 112 (2014). DOI: 10.1016/j.pmatsci.2014.06.003
  5. I. Cora, F. Mezzadri, F. Boschi, M. Bosi, M. vCaplovivcova, G. Calestani, I. Dodony, B. Pecz, R. Fornari, CrystEngComm, 19 (11), 1509 (2017). DOI: 10.1039/c7ce00123a
  6. S. Yusa, D. Oka, T. Fukumura, CrystEngComm, 22 (2), 381 (2019). DOI: 10.1039/c9ce01532a
  7. A. Almaev, N. Yakovlev, V. Kopyev, V. Nikolaev, P. Butenko, J. Deng, A. Pechnikov, P. Korusenko, A. Koroleva, E. Zhizhin, Chemosensors, 11 (6), 325 (2023). DOI: 10.3390/chemosensors11060325
  8. K.M.O. Jensen, M. Christensen, P. Juhas, C. Tyrsted, E.D. Bojesen, N. Lock, S.J.L. Billinge, B.B. Iversen, J. Am. Chem. Soc., 134 (15), 6785 (2012). DOI: 10.1021/ja300978f
  9. T. Yamanaka, R. Kurashima, J. Mimaki, Z. Kristallogr., 215 (7), 424 (2000). DOI: 10.1524/zkri.2000.215.7.419
  10. Y.-N. Xu, W.Y. Ching, Phys. Rev. B, 48 (7), 4335 (1993). DOI: 10.1103/PhysRevB.48.4335
  11. J.B. Varley, J.R. Weber, A. Janotti, C.G. Van de Walle, Appl. Phys. Lett., 97 (14), 142106 (2010). DOI: 10.1063/1.3499306
  12. M. Higashiwaki, K. Sasaki, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu, A. Kuramata, T. Masui, S. Yamakoshi, Semicond. Sci. Technol., 31 (3), 034001 (2016). DOI: 10.1088/0268-1242/31/3/034001
  13. D.O. Scanlon, G.W. Watson, J. Mater. Chem., 22 (48), 25236 (2012). DOI: 10.1039/c2jm34352e
  14. C. Ma, Z. Wu, Z. Jiang, Y. Chen, W. Ruan, H. Zhang, H. Zhu, G. Zhang, J. Kang, T.-Y. Zhang, J. Chu, Z. Fang, J. Mater. Chem. C, 10 (17), 6673 (2022). DOI: 10.1039/d1tc05324h
  15. S.-A. Lee, J.-Y. Hwang, J.-P. Kim, S.-Y. Jeong, C.-R. Cho, Appl. Phys. Lett., 89 (18), 182906 (2006). DOI: 10.1063/1.2374806
  16. T. Chen, X. Zhang, Y. Ma, T. He, X. Wei, W. Tang, W. Tang, X. Zhou, H. Fu, L. Zhang, K. Xu, C. Zeng, Y. Fan, Y. Cai, B. Zhang, Adv. Photon. Res., 2 (8), 2100049 (2021). DOI: 10.1002/adpr.202100049
  17. V.I. Nikolaev, S.I. Stepanov, A.I. Pechnikov, S.V. Shapenkov, M.P. Scheglov, A.V. Chikiryaka, O.F. Vyvenko, ECS J. Solid State Sci. Technol., 9 (4), 045014 (2020). DOI: 10.1149/2162-8777/ab8b4c
  18. С.И. Степанов, А.И. Печников, М.П. Щеглов, А.В. Чикиряка, В.И. Николаев, Письма в ЖТФ, 48 (19), 35 (2022). DOI: 10.21883/PJTF.2022.19.53594.19169 [S.I. Stepanov, A.I. Pechnikov, M.P. Scheglov, A.V. Chikiryaka, V.I. Nikolaev, Tech. Phys. Lett., 48 (10), 32 (2022). DOI: 10.21883/TPL.2022.10.54794.19169]
  19. V. Gottschalch, S. Merker, S. Blaurock, M. Kneib, U. Teschner, M. Grundmann, H. Krautscheid, J. Cryst. Growth, 510, 76 (2019). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.01.018
  20. В.И. Иверонова, Г.П. Ревкевич, Теория рассеяния рентгеновских лучей (Изд-во МГУ, М., 1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme